Код: 10079268

Модуль памяти Samsung 8GB 3200MHz DDR4 SO-DIMM M378A1K43EB2-CWED0
Модуль памяти Samsung 8GB 3200MHz DDR4 SO-DIMM M378A1K43EB2-CWED0 фото 2
Модуль памяти Samsung 8GB 3200MHz DDR4 SO-DIMM M378A1K43EB2-CWED0 фото 3
Модуль памяти Samsung 8GB 3200MHz DDR4 SO-DIMM M378A1K43EB2-CWED0
Модуль памяти Samsung 8GB 3200MHz DDR4 SO-DIMM M378A1K43EB2-CWED0 фото 2
Модуль памяти Samsung 8GB 3200MHz DDR4 SO-DIMM M378A1K43EB2-CWED0 фото 3
Модуль памяти Samsung 8GB 3200MHz DDR4 SO-DIMM M378A1K43EB2-CWED0
Модуль памяти Samsung 8GB 3200MHz DDR4 SO-DIMM M378A1K43EB2-CWED0
Модуль памяти Samsung 8GB 3200MHz DDR4 SO-DIMM M378A1K43EB2-CWED0

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

Модуль памяти Samsung 8GB 3200MHz DDR4 SO-DIMM M378A1K43EB2-CWED0

О товаре

Код: 10079268

Объем одного модуля, Гб
8 Гб
Частота памяти, МГц
3200 МГц
Пропускная способность, МБ/с
25600 МБ/с
Напряжение, В
1.2 В
Форм-фактор
SODIMM
Тип памяти
DDR4
Смотреть все характеристики Смотреть все характеристики

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

  • Характеристики

Характеристики

Общие характеристики

Объем одного модуля
8 Гб
Частота памяти
3200 МГц
Пропускная способность
25600 МБ/с
Напряжение
1.2 В
Форм-фактор
SODIMM
Тип памяти
DDR4
Наличие радиатора
Нет
Количество модулей в комплекте
1
Количество контактов
260
Назначение
для настольного компьютера

Тайминги

CAS Latency (CL)
22

Конструкция

Низкопрофильная (Low Profile)
Нет

Дополнительные характеристики

Гарантия
Гарантия от интернет магазина 1 год
  • Характеристики

Общие характеристики

Объем одного модуля
8 Гб
Частота памяти
3200 МГц
Пропускная способность
25600 МБ/с
Напряжение
1.2 В
Форм-фактор
SODIMM
Тип памяти
DDR4
Наличие радиатора
Нет
Количество модулей в комплекте
1
Количество контактов
260
Назначение
для настольного компьютера

Тайминги

CAS Latency (CL)
22

Конструкция

Низкопрофильная (Low Profile)
Нет

Дополнительные характеристики

Гарантия
Гарантия от интернет магазина 1 год
🔸 Объем одного модуля8, Гб
🔸 Частота памяти3200, МГц
🔸 Пропускная способность25600, МБ/с
🔸 Напряжение1.2, В