Оперативная память Kingston KVR16N11S8/4 DDR3 1x4 GB DIMM для ПК
Оперативная память Kingston KVR16N11S8/4 DDR3 1x4 GB DIMM для ПК фото 2
Оперативная память Kingston KVR16N11S8/4 DDR3 1x4 GB DIMM для ПК фото 3
Оперативная память Kingston KVR16N11S8/4 DDR3 1x4 GB DIMM для ПК фото 4
Оперативная память Kingston KVR16N11S8/4 DDR3 1x4 GB DIMM для ПК
Оперативная память Kingston KVR16N11S8/4 DDR3 1x4 GB DIMM для ПК фото 2
Оперативная память Kingston KVR16N11S8/4 DDR3 1x4 GB DIMM для ПК фото 3
Оперативная память Kingston KVR16N11S8/4 DDR3 1x4 GB DIMM для ПК фото 4
Оперативная память Kingston KVR16N11S8/4 DDR3 1x4 GB DIMM для ПК
Оперативная память Kingston KVR16N11S8/4 DDR3 1x4 GB DIMM для ПК
Оперативная память Kingston KVR16N11S8/4 DDR3 1x4 GB DIMM для ПК
Оперативная память Kingston KVR16N11S8/4 DDR3 1x4 GB DIMM для ПК

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

Оперативная память Kingston KVR16N11S8/4 DDR3 1x4 GB DIMM для ПК

О товаре

Код: 23564

Объем одного модуля, ГБ
4 ГБ
Частота памяти, МГц
1600 МГц
Пропускная способность, МБ/с
12800 МБ/с
Напряжение, В
1.5 В
Тип памяти
DDR3
Форм-фактор
DIMM
Смотреть все характеристики Смотреть все характеристики

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

  • Характеристики

Характеристики

Общие характеристики

Объем одного модуля
4 ГБ
Частота памяти
1600 МГц
Пропускная способность
12800 МБ/с
Напряжение
1.5 В
Суммарный объем памяти
4 ГБ
Количество модулей в комплекте
1
Страна производителя
Тайвань (китай)
Тип памяти
DDR3
Форм-фактор
DIMM
Количество контактов
240
Назначение
для ПК
Наличие радиатора
нет
Ранговость
одноранговая

Тайминги

CAS Latency (CL)
11
RAS to CAS Delay (tRCD)
11
Row Precharge Delay (tRP)
11
Activate to Precharge Delay (tRAS)
35
  • Характеристики

Общие характеристики

Объем одного модуля
4 ГБ
Частота памяти
1600 МГц
Пропускная способность
12800 МБ/с
Напряжение
1.5 В
Суммарный объем памяти
4 ГБ
Количество модулей в комплекте
1
Страна производителя
Тайвань (китай)
Тип памяти
DDR3
Форм-фактор
DIMM
Количество контактов
240
Назначение
для ПК
Наличие радиатора
нет
Ранговость
одноранговая

Тайминги

CAS Latency (CL)
11
RAS to CAS Delay (tRCD)
11
Row Precharge Delay (tRP)
11
Activate to Precharge Delay (tRAS)
35
🔸 Объем одного модуля4, ГБ
🔸 Частота памяти1600, МГц
🔸 Пропускная способность12800, МБ/с
🔸 Напряжение1.5, В