Оперативная память Kingston HX316C10F/4 DDR3 1x4 GB DIMM для ПК
Оперативная память Kingston HX316C10F/4 DDR3 1x4 GB DIMM для ПК фото 2
Оперативная память Kingston HX316C10F/4 DDR3 1x4 GB DIMM для ПК фото 3
Оперативная память Kingston HX316C10F/4 DDR3 1x4 GB DIMM для ПК фото 4
Оперативная память Kingston HX316C10F/4 DDR3 1x4 GB DIMM для ПК
Оперативная память Kingston HX316C10F/4 DDR3 1x4 GB DIMM для ПК фото 2
Оперативная память Kingston HX316C10F/4 DDR3 1x4 GB DIMM для ПК фото 3
Оперативная память Kingston HX316C10F/4 DDR3 1x4 GB DIMM для ПК фото 4
Оперативная память Kingston HX316C10F/4 DDR3 1x4 GB DIMM для ПК
Оперативная память Kingston HX316C10F/4 DDR3 1x4 GB DIMM для ПК
Оперативная память Kingston HX316C10F/4 DDR3 1x4 GB DIMM для ПК
Оперативная память Kingston HX316C10F/4 DDR3 1x4 GB DIMM для ПК

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

Оперативная память Kingston HX316C10F/4 DDR3 1x4 GB DIMM для ПК

О товаре

Код: 23570

Объем одного модуля, ГБ
4 ГБ
Частота памяти, МГц
1600 МГц
Пропускная способность, МБ/с
12800 МБ/с
Напряжение, В
1.5 В
Тип памяти
DDR3
Форм-фактор
DIMM
Смотреть все характеристики Смотреть все характеристики

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

  • Характеристики

Характеристики

Общие характеристики

Объем одного модуля
4 ГБ
Частота памяти
1600 МГц
Пропускная способность
12800 МБ/с
Напряжение
1.5 В
Ранговость
одноранговая
Назначение
для ПК
Тип памяти
DDR3
Суммарный объем памяти
4 ГБ
Количество модулей в комплекте
1
Наличие радиатора
есть
Форм-фактор
DIMM
Страна производителя
Тайвань (китай)

Тайминги

CAS Latency (CL)
10
RAS to CAS Delay (tRCD)
10
Row Precharge Delay (tRP)
10
Activate to Precharge Delay (tRAS)
38
  • Характеристики

Общие характеристики

Объем одного модуля
4 ГБ
Частота памяти
1600 МГц
Пропускная способность
12800 МБ/с
Напряжение
1.5 В
Ранговость
одноранговая
Назначение
для ПК
Тип памяти
DDR3
Суммарный объем памяти
4 ГБ
Количество модулей в комплекте
1
Наличие радиатора
есть
Форм-фактор
DIMM
Страна производителя
Тайвань (китай)

Тайминги

CAS Latency (CL)
10
RAS to CAS Delay (tRCD)
10
Row Precharge Delay (tRP)
10
Activate to Precharge Delay (tRAS)
38
🔸 Объем одного модуля4, ГБ
🔸 Частота памяти1600, МГц
🔸 Пропускная способность12800, МБ/с
🔸 Напряжение1.5, В