Оперативная память Kingston HX318C10F/4 DDR3 1x4 GB DIMM для ПК
Оперативная память Kingston HX318C10F/4 DDR3 1x4 GB DIMM для ПК фото 2
Оперативная память Kingston HX318C10F/4 DDR3 1x4 GB DIMM для ПК фото 3
Оперативная память Kingston HX318C10F/4 DDR3 1x4 GB DIMM для ПК фото 4
Оперативная память Kingston HX318C10F/4 DDR3 1x4 GB DIMM для ПК
Оперативная память Kingston HX318C10F/4 DDR3 1x4 GB DIMM для ПК фото 2
Оперативная память Kingston HX318C10F/4 DDR3 1x4 GB DIMM для ПК фото 3
Оперативная память Kingston HX318C10F/4 DDR3 1x4 GB DIMM для ПК фото 4
Оперативная память Kingston HX318C10F/4 DDR3 1x4 GB DIMM для ПК
Оперативная память Kingston HX318C10F/4 DDR3 1x4 GB DIMM для ПК
Оперативная память Kingston HX318C10F/4 DDR3 1x4 GB DIMM для ПК
Оперативная память Kingston HX318C10F/4 DDR3 1x4 GB DIMM для ПК

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

Оперативная память Kingston HX318C10F/4 DDR3 1x4 GB DIMM для ПК

О товаре

Код: 23577

Объем одного модуля, ГБ
4 ГБ
Частота памяти, МГц
1866 МГц
Пропускная способность, МБ/с
14900 МБ/с
Напряжение, В
1.5 В
Тип памяти
DDR3
Форм-фактор
DIMM
Смотреть все характеристики Смотреть все характеристики

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

  • Характеристики

Характеристики

Общие характеристики

Объем одного модуля
4 ГБ
Частота памяти
1866 МГц
Пропускная способность
14900 МБ/с
Напряжение
1.5 В
Назначение
для ПК
Тип памяти
DDR3
Суммарный объем памяти
4 ГБ
Форм-фактор
DIMM
Количество модулей в комплекте
1
Страна производителя
Тайвань (китай)
Ранговость
одноранговая
Наличие радиатора
есть

Тайминги

CAS Latency (CL)
10
RAS to CAS Delay (tRCD)
11
Row Precharge Delay (tRP)
10
Activate to Precharge Delay (tRAS)
32
  • Характеристики

Общие характеристики

Объем одного модуля
4 ГБ
Частота памяти
1866 МГц
Пропускная способность
14900 МБ/с
Напряжение
1.5 В
Назначение
для ПК
Тип памяти
DDR3
Суммарный объем памяти
4 ГБ
Форм-фактор
DIMM
Количество модулей в комплекте
1
Страна производителя
Тайвань (китай)
Ранговость
одноранговая
Наличие радиатора
есть

Тайминги

CAS Latency (CL)
10
RAS to CAS Delay (tRCD)
11
Row Precharge Delay (tRP)
10
Activate to Precharge Delay (tRAS)
32
🔸 Объем одного модуля4, ГБ
🔸 Частота памяти1866, МГц
🔸 Пропускная способность14900, МБ/с
🔸 Напряжение1.5, В