Оперативная память Kingston HX318C10FRK2/16 DDR3 2x8 GB DIMM для ПК
Оперативная память Kingston HX318C10FRK2/16 DDR3 2x8 GB DIMM для ПК фото 2
Оперативная память Kingston HX318C10FRK2/16 DDR3 2x8 GB DIMM для ПК фото 3
Оперативная память Kingston HX318C10FRK2/16 DDR3 2x8 GB DIMM для ПК фото 4
Оперативная память Kingston HX318C10FRK2/16 DDR3 2x8 GB DIMM для ПК
Оперативная память Kingston HX318C10FRK2/16 DDR3 2x8 GB DIMM для ПК фото 2
Оперативная память Kingston HX318C10FRK2/16 DDR3 2x8 GB DIMM для ПК фото 3
Оперативная память Kingston HX318C10FRK2/16 DDR3 2x8 GB DIMM для ПК фото 4
Оперативная память Kingston HX318C10FRK2/16 DDR3 2x8 GB DIMM для ПК
Оперативная память Kingston HX318C10FRK2/16 DDR3 2x8 GB DIMM для ПК
Оперативная память Kingston HX318C10FRK2/16 DDR3 2x8 GB DIMM для ПК
Оперативная память Kingston HX318C10FRK2/16 DDR3 2x8 GB DIMM для ПК

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

Оперативная память Kingston HX318C10FRK2/16 DDR3 2x8 GB DIMM для ПК

О товаре

Код: 23580

Объем одного модуля, ГБ
8 ГБ
Частота памяти, МГц
1866 МГц
Пропускная способность, МБ/с
14900 МБ/с
Напряжение, В
1.5 В
Тип памяти
DDR3
Форм-фактор
DIMM
Смотреть все характеристики Смотреть все характеристики

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

  • Характеристики

Характеристики

Общие характеристики

Объем одного модуля
8 ГБ
Частота памяти
1866 МГц
Пропускная способность
14900 МБ/с
Напряжение
1.5 В
Ранговость
двухранговая
Наличие радиатора
есть
Количество модулей в комплекте
2
Тип памяти
DDR3
Форм-фактор
DIMM
Страна производителя
Тайвань (китай)
Суммарный объем памяти
16 ГБ
Количество контактов
240

Тайминги

CAS Latency (CL)
10
RAS to CAS Delay (tRCD)
11
Row Precharge Delay (tRP)
10
Activate to Precharge Delay (tRAS)
32
  • Характеристики

Общие характеристики

Объем одного модуля
8 ГБ
Частота памяти
1866 МГц
Пропускная способность
14900 МБ/с
Напряжение
1.5 В
Ранговость
двухранговая
Наличие радиатора
есть
Количество модулей в комплекте
2
Тип памяти
DDR3
Форм-фактор
DIMM
Страна производителя
Тайвань (китай)
Суммарный объем памяти
16 ГБ
Количество контактов
240

Тайминги

CAS Latency (CL)
10
RAS to CAS Delay (tRCD)
11
Row Precharge Delay (tRP)
10
Activate to Precharge Delay (tRAS)
32
🔸 Объем одного модуля8, ГБ
🔸 Частота памяти1866, МГц
🔸 Пропускная способность14900, МБ/с
🔸 Напряжение1.5, В