Оперативная память Kingston HX424C12PB3K4/32 DDR4 4x8 GB DIMM для ПК
Оперативная память Kingston HX424C12PB3K4/32 DDR4 4x8 GB DIMM для ПК фото 2
Оперативная память Kingston HX424C12PB3K4/32 DDR4 4x8 GB DIMM для ПК фото 3
Оперативная память Kingston HX424C12PB3K4/32 DDR4 4x8 GB DIMM для ПК
Оперативная память Kingston HX424C12PB3K4/32 DDR4 4x8 GB DIMM для ПК фото 2
Оперативная память Kingston HX424C12PB3K4/32 DDR4 4x8 GB DIMM для ПК фото 3
Оперативная память Kingston HX424C12PB3K4/32 DDR4 4x8 GB DIMM для ПК
Оперативная память Kingston HX424C12PB3K4/32 DDR4 4x8 GB DIMM для ПК
Оперативная память Kingston HX424C12PB3K4/32 DDR4 4x8 GB DIMM для ПК

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

Оперативная память Kingston HX424C12PB3K4/32 DDR4 4x8 GB DIMM для ПК

О товаре

Код: 23606

Объем одного модуля, ГБ
8 ГБ
Частота памяти, МГц
2400 МГц
Пропускная способность, МБ/с
19200 МБ/с
Напряжение, В
1.2 В
Тип памяти
DDR4
Форм-фактор
DIMM
Смотреть все характеристики Смотреть все характеристики

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

  • Характеристики

Характеристики

Общие характеристики

Объем одного модуля
8 ГБ
Частота памяти
2400 МГц
Пропускная способность
19200 МБ/с
Напряжение
1.2 В
Назначение
для ПК
Тип памяти
DDR4
Форм-фактор
DIMM
Суммарный объем памяти
32 ГБ
Количество модулей в комплекте
4
Наличие радиатора
есть
Количество контактов
288
Ранговость
одноранговая
Страна производителя
Тайвань (китай)

Тайминги

RAS to CAS Delay (tRCD)
14
Row Precharge Delay (tRP)
14
Activate to Precharge Delay (tRAS)
32
CAS Latency (CL)
12
  • Характеристики

Общие характеристики

Объем одного модуля
8 ГБ
Частота памяти
2400 МГц
Пропускная способность
19200 МБ/с
Напряжение
1.2 В
Назначение
для ПК
Тип памяти
DDR4
Форм-фактор
DIMM
Суммарный объем памяти
32 ГБ
Количество модулей в комплекте
4
Наличие радиатора
есть
Количество контактов
288
Ранговость
одноранговая
Страна производителя
Тайвань (китай)

Тайминги

RAS to CAS Delay (tRCD)
14
Row Precharge Delay (tRP)
14
Activate to Precharge Delay (tRAS)
32
CAS Latency (CL)
12
🔸 Объем одного модуля8, ГБ
🔸 Частота памяти2400, МГц
🔸 Пропускная способность19200, МБ/с
🔸 Напряжение1.2, В