Оперативная память Kingston HX424S15IBK4/16 DDR4 4x4 GB SODIMM для ноутбука
Оперативная память Kingston HX424S15IBK4/16 DDR4 4x4 GB SODIMM для ноутбука фото 2
Оперативная память Kingston HX424S15IBK4/16 DDR4 4x4 GB SODIMM для ноутбука фото 3
Оперативная память Kingston HX424S15IBK4/16 DDR4 4x4 GB SODIMM для ноутбука
Оперативная память Kingston HX424S15IBK4/16 DDR4 4x4 GB SODIMM для ноутбука фото 2
Оперативная память Kingston HX424S15IBK4/16 DDR4 4x4 GB SODIMM для ноутбука фото 3
Оперативная память Kingston HX424S15IBK4/16 DDR4 4x4 GB SODIMM для ноутбука
Оперативная память Kingston HX424S15IBK4/16 DDR4 4x4 GB SODIMM для ноутбука
Оперативная память Kingston HX424S15IBK4/16 DDR4 4x4 GB SODIMM для ноутбука

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

Оперативная память Kingston HX424S15IBK4/16 DDR4 4x4 GB SODIMM для ноутбука

О товаре

Код: 23720

Объем одного модуля, ГБ
4 ГБ
Частота памяти, МГц
2400 МГц
Пропускная способность, МБ/с
19200 МБ/с
Напряжение, В
1.2 В
Тип памяти
DDR4
Форм-фактор
SODIMM
Смотреть все характеристики Смотреть все характеристики

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

  • Характеристики

Характеристики

Общие характеристики

Объем одного модуля
4 ГБ
Частота памяти
2400 МГц
Пропускная способность
19200 МБ/с
Напряжение
1.2 В
Назначение
для ноутбука
Тип памяти
DDR4
Форм-фактор
SODIMM
Суммарный объем памяти
16 ГБ
Количество модулей в комплекте
4
Страна производителя
Тайвань (китай)
Наличие радиатора
нет

Тайминги

CAS Latency (CL)
15
RAS to CAS Delay (tRCD)
15
Row Precharge Delay (tRP)
15
Activate to Precharge Delay (tRAS)
36
  • Характеристики

Общие характеристики

Объем одного модуля
4 ГБ
Частота памяти
2400 МГц
Пропускная способность
19200 МБ/с
Напряжение
1.2 В
Назначение
для ноутбука
Тип памяти
DDR4
Форм-фактор
SODIMM
Суммарный объем памяти
16 ГБ
Количество модулей в комплекте
4
Страна производителя
Тайвань (китай)
Наличие радиатора
нет

Тайминги

CAS Latency (CL)
15
RAS to CAS Delay (tRCD)
15
Row Precharge Delay (tRP)
15
Activate to Precharge Delay (tRAS)
36
🔸 Объем одного модуля4, ГБ
🔸 Частота памяти2400, МГц
🔸 Пропускная способность19200, МБ/с
🔸 Напряжение1.2, В