Твердотельный накопитель Samsung 1024 GB MZ-V7P1T0BW
Твердотельный накопитель Samsung 1024 GB MZ-V7P1T0BW фото 2
Твердотельный накопитель Samsung 1024 GB MZ-V7P1T0BW фото 3
Твердотельный накопитель Samsung 1024 GB MZ-V7P1T0BW фото 4
Твердотельный накопитель Samsung 1024 GB MZ-V7P1T0BW
Твердотельный накопитель Samsung 1024 GB MZ-V7P1T0BW фото 2
Твердотельный накопитель Samsung 1024 GB MZ-V7P1T0BW фото 3
Твердотельный накопитель Samsung 1024 GB MZ-V7P1T0BW фото 4
Твердотельный накопитель Samsung 1024 GB MZ-V7P1T0BW
Твердотельный накопитель Samsung 1024 GB MZ-V7P1T0BW
Твердотельный накопитель Samsung 1024 GB MZ-V7P1T0BW
Твердотельный накопитель Samsung 1024 GB MZ-V7P1T0BW

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

Твердотельный накопитель Samsung 1024 GB MZ-V7P1T0BW

О товаре

Код: 24316

Время наработки на отказ, ч
1500000 ч
Форм-фактор
2280
Объем накопителя
1 ТБ
Разъем подключения
М.2
Интерфейс подключения
PCI-E 3.0 x4
Смотреть все характеристики Смотреть все характеристики

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

  • Характеристики

Характеристики

Общие характеристики

Время наработки на отказ
1500000 ч
Потребляемая мощность
5.7 Вт
Страна производителя
Китай
Тип накопителя
внутренний SSD
Форм-фактор
2280
Назначение
для ноутбука и настольного компьютера, игровой

Накопитель

Структура памяти
V-NAND 2-bit MLC
Объем накопителя
1 ТБ

Подключение

Разъем подключения
М.2
Интерфейс подключения
PCI-E 3.0 x4
  • Характеристики

Общие характеристики

Время наработки на отказ
1500000 ч
Потребляемая мощность
5.7 Вт
Страна производителя
Китай
Тип накопителя
внутренний SSD
Форм-фактор
2280
Назначение
для ноутбука и настольного компьютера, игровой

Накопитель

Структура памяти
V-NAND 2-bit MLC
Объем накопителя
1 ТБ

Подключение

Разъем подключения
М.2
Интерфейс подключения
PCI-E 3.0 x4
🔸 Время наработки на отказ1500000, ч
🔸 Форм-фактор2280
🔸 Объем накопителя1 ТБ
🔸 Разъем подключенияМ.2