Оперативная память Patriot PVE48G266C6KGY DDR4 2x4 GB DIMM для ПК
Оперативная память Patriot PVE48G266C6KGY DDR4 2x4 GB DIMM для ПК фото 2
Оперативная память Patriot PVE48G266C6KGY DDR4 2x4 GB DIMM для ПК фото 3
Оперативная память Patriot PVE48G266C6KGY DDR4 2x4 GB DIMM для ПК фото 4
Оперативная память Patriot PVE48G266C6KGY DDR4 2x4 GB DIMM для ПК
Оперативная память Patriot PVE48G266C6KGY DDR4 2x4 GB DIMM для ПК фото 2
Оперативная память Patriot PVE48G266C6KGY DDR4 2x4 GB DIMM для ПК фото 3
Оперативная память Patriot PVE48G266C6KGY DDR4 2x4 GB DIMM для ПК фото 4
Оперативная память Patriot PVE48G266C6KGY DDR4 2x4 GB DIMM для ПК
Оперативная память Patriot PVE48G266C6KGY DDR4 2x4 GB DIMM для ПК
Оперативная память Patriot PVE48G266C6KGY DDR4 2x4 GB DIMM для ПК
Оперативная память Patriot PVE48G266C6KGY DDR4 2x4 GB DIMM для ПК

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

Оперативная память Patriot PVE48G266C6KGY DDR4 2x4 GB DIMM для ПК

О товаре

Код: 27324

Объем одного модуля, ГБ
4 ГБ
Частота памяти, МГц
2666 МГц
Пропускная способность, МБ/с
21300 МБ/с
Напряжение, В
1.2 В
Форм-фактор
DIMM
Тип памяти
DDR4
Смотреть все характеристики Смотреть все характеристики

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

  • Характеристики

Характеристики

Общие характеристики

Объем одного модуля
4 ГБ
Частота памяти
2666 МГц
Пропускная способность
21300 МБ/с
Напряжение
1.2 В
Форм-фактор
DIMM
Суммарный объем памяти
8 ГБ
Наличие радиатора
есть
Назначение
для ПК
Тип памяти
DDR4
Страна производителя
Тайвань (китай)
Количество модулей в комплекте
2

Тайминги

CAS Latency (CL)
16
Row Precharge Delay (tRP)
17
Activate to Precharge Delay (tRAS)
36
RAS to CAS Delay (tRCD)
17
  • Характеристики

Общие характеристики

Объем одного модуля
4 ГБ
Частота памяти
2666 МГц
Пропускная способность
21300 МБ/с
Напряжение
1.2 В
Форм-фактор
DIMM
Суммарный объем памяти
8 ГБ
Наличие радиатора
есть
Назначение
для ПК
Тип памяти
DDR4
Страна производителя
Тайвань (китай)
Количество модулей в комплекте
2

Тайминги

CAS Latency (CL)
16
Row Precharge Delay (tRP)
17
Activate to Precharge Delay (tRAS)
36
RAS to CAS Delay (tRCD)
17
🔸 Объем одного модуля4, ГБ
🔸 Частота памяти2666, МГц
🔸 Пропускная способность21300, МБ/с
🔸 Напряжение1.2, В