Оперативная память HyperX HX318C10FK2/8 DDR3 2x4 GB DIMM для ПК
Оперативная память HyperX HX318C10FK2/8 DDR3 2x4 GB DIMM для ПК фото 2
Оперативная память HyperX HX318C10FK2/8 DDR3 2x4 GB DIMM для ПК фото 3
Оперативная память HyperX HX318C10FK2/8 DDR3 2x4 GB DIMM для ПК фото 4
Оперативная память HyperX HX318C10FK2/8 DDR3 2x4 GB DIMM для ПК
Оперативная память HyperX HX318C10FK2/8 DDR3 2x4 GB DIMM для ПК фото 2
Оперативная память HyperX HX318C10FK2/8 DDR3 2x4 GB DIMM для ПК фото 3
Оперативная память HyperX HX318C10FK2/8 DDR3 2x4 GB DIMM для ПК фото 4
Оперативная память HyperX HX318C10FK2/8 DDR3 2x4 GB DIMM для ПК
Оперативная память HyperX HX318C10FK2/8 DDR3 2x4 GB DIMM для ПК
Оперативная память HyperX HX318C10FK2/8 DDR3 2x4 GB DIMM для ПК
Оперативная память HyperX HX318C10FK2/8 DDR3 2x4 GB DIMM для ПК

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

Оперативная память HyperX HX318C10FK2/8 DDR3 2x4 GB DIMM для ПК

О товаре

Код: 28018

Объем одного модуля, ГБ
4 ГБ
Частота памяти, МГц
1866 МГц
Пропускная способность, МБ/с
14900 МБ/с
Напряжение, В
1.5 В
Форм-фактор
DIMM
Тип памяти
DDR3
Смотреть все характеристики Смотреть все характеристики

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

  • Характеристики

Характеристики

Общие характеристики

Объем одного модуля
4 ГБ
Частота памяти
1866 МГц
Пропускная способность
14900 МБ/с
Напряжение
1.5 В
Страна производителя
Китай
Назначение
для ПК
Количество модулей в комплекте
2
Форм-фактор
DIMM
Суммарный объем памяти
8 ГБ
Наличие радиатора
есть
Количество контактов
240
Тип памяти
DDR3

Тайминги

Row Precharge Delay (tRP)
10
CAS Latency (CL)
10
RAS to CAS Delay (tRCD)
11
  • Характеристики

Общие характеристики

Объем одного модуля
4 ГБ
Частота памяти
1866 МГц
Пропускная способность
14900 МБ/с
Напряжение
1.5 В
Страна производителя
Китай
Назначение
для ПК
Количество модулей в комплекте
2
Форм-фактор
DIMM
Суммарный объем памяти
8 ГБ
Наличие радиатора
есть
Количество контактов
240
Тип памяти
DDR3

Тайминги

Row Precharge Delay (tRP)
10
CAS Latency (CL)
10
RAS to CAS Delay (tRCD)
11
🔸 Объем одного модуля4, ГБ
🔸 Частота памяти1866, МГц
🔸 Пропускная способность14900, МБ/с
🔸 Напряжение1.5, В