Оперативная память Patriot PSP416G2400KH1 DDR4 2x8 GB DIMM для ПК
Оперативная память Patriot PSP416G2400KH1 DDR4 2x8 GB DIMM для ПК фото 2
Оперативная память Patriot PSP416G2400KH1 DDR4 2x8 GB DIMM для ПК фото 3
Оперативная память Patriot PSP416G2400KH1 DDR4 2x8 GB DIMM для ПК
Оперативная память Patriot PSP416G2400KH1 DDR4 2x8 GB DIMM для ПК фото 2
Оперативная память Patriot PSP416G2400KH1 DDR4 2x8 GB DIMM для ПК фото 3
Оперативная память Patriot PSP416G2400KH1 DDR4 2x8 GB DIMM для ПК
Оперативная память Patriot PSP416G2400KH1 DDR4 2x8 GB DIMM для ПК
Оперативная память Patriot PSP416G2400KH1 DDR4 2x8 GB DIMM для ПК

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

Оперативная память Patriot PSP416G2400KH1 DDR4 2x8 GB DIMM для ПК

О товаре

Код: 28242

Объем одного модуля, ГБ
8 ГБ
Частота памяти, МГц
2400 МГц
Пропускная способность, МБ/с
19200 МБ/с
Напряжение, В
1.2 В
Тип памяти
DDR4
Форм-фактор
DIMM
Смотреть все характеристики Смотреть все характеристики

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

  • Характеристики

Характеристики

Общие характеристики

Объем одного модуля
8 ГБ
Частота памяти
2400 МГц
Пропускная способность
19200 МБ/с
Напряжение
1.2 В
Количество контактов
288
Ранговость
одноранговая
Количество модулей в комплекте
2
Наличие радиатора
есть
Страна производителя
Китай
Назначение
для ПК
Тип памяти
DDR4
Форм-фактор
DIMM
Суммарный объем памяти
16 ГБ

Тайминги

CAS Latency (CL)
17
RAS to CAS Delay (tRCD)
17
Row Precharge Delay (tRP)
17
Activate to Precharge Delay (tRAS)
39
  • Характеристики

Общие характеристики

Объем одного модуля
8 ГБ
Частота памяти
2400 МГц
Пропускная способность
19200 МБ/с
Напряжение
1.2 В
Количество контактов
288
Ранговость
одноранговая
Количество модулей в комплекте
2
Наличие радиатора
есть
Страна производителя
Китай
Назначение
для ПК
Тип памяти
DDR4
Форм-фактор
DIMM
Суммарный объем памяти
16 ГБ

Тайминги

CAS Latency (CL)
17
RAS to CAS Delay (tRCD)
17
Row Precharge Delay (tRP)
17
Activate to Precharge Delay (tRAS)
39
🔸 Объем одного модуля8, ГБ
🔸 Частота памяти2400, МГц
🔸 Пропускная способность19200, МБ/с
🔸 Напряжение1.2, В