Оперативная память Qumo QUM4S-4G2666C19 DDR4 1x4 GB SODIMM для ноутбука
Оперативная память Qumo QUM4S-4G2666C19 DDR4 1x4 GB SODIMM для ноутбука
Оперативная память Qumo QUM4S-4G2666C19 DDR4 1x4 GB SODIMM для ноутбука

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

Оперативная память Qumo QUM4S-4G2666C19 DDR4 1x4 GB SODIMM для ноутбука

О товаре

Код: 28281

Объем одного модуля, ГБ
4 ГБ
Частота памяти, МГц
2666 МГц
Пропускная способность, МБ/с
21300 МБ/с
Напряжение, В
1.2 В
Тип памяти
DDR4
Форм-фактор
SODIMM
Смотреть все характеристики Смотреть все характеристики

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

  • Обзор
  • Характеристики

Обзор

Оперативная память Qumo QUM4S-4G2666C19 DDR4 1x4 GB SODIMM для ноутбука

Основные характеристики

Оперативная память Qumo QUM4S-4G2666C19 DDR4 1x4 GB SODIMM представляет собой отличное решение для улучшения производительности ноутбука. Рассмотрим основные технические характеристики этого модуля памяти:

  • Тип памяти: DDR4 SODIMM
  • Объем: 4 ГБ
  • Частота: 2666 МГц
  • Форм-фактор: SODIMM
  • Количество модулей: 1

Характеристики Qumo QUM4S-4G2666C19

Рассмотрим более подробно спецификации оперативной памяти Qumo QUM4S-4G2666C19:

  • Производитель: Qumo
  • Модель: QUM4S-4G2666C19
  • Стандарт памяти: DDR4
  • Объем одного модуля: 4 ГБ
  • Частота: 2666 МГц, что обеспечивает быструю передачу данных и повышает общую производительность системы
  • Совместимость: идеально подходит для использования в ноутбуках, где требуется надежная и эффективная оперативная память
  • Качество и надежность: память Qumo отличается высоким качеством и надежностью, что обеспечивает бесперебойную работу вашего устройства

Вы можете купить Оперативная память Qumo QUM4S-4G2666C19 DDR4 1x4 GB SODIMM для ноутбука в нашем интернет-магазине Аликсон Маркетплейс с быстрой доставкой по всей России или самовывозом из пунктов выдачи.

Характеристики

Общие характеристики

Объем одного модуля
4 ГБ
Частота памяти
2666 МГц
Пропускная способность
21300 МБ/с
Напряжение
1.2 В
Тип памяти
DDR4
Суммарный объем памяти
4 ГБ
Количество модулей в комплекте
1
Количество контактов
260
Страна производителя
Китай
Назначение
для ноутбука
Форм-фактор
SODIMM

Тайминги

CAS Latency (CL)
19
  • О товаре
  • Характеристики
🔸 Объем одного модуля4, ГБ
🔸 Частота памяти2666, МГц
🔸 Пропускная способность21300, МБ/с
🔸 Напряжение1.2, В