Оперативная память Qumo QUM4S-4G2400KK16 DDR4 1x4 GB SODIMM для ноутбука
Оперативная память Qumo QUM4S-4G2400KK16 DDR4 1x4 GB SODIMM для ноутбука фото 2
Оперативная память Qumo QUM4S-4G2400KK16 DDR4 1x4 GB SODIMM для ноутбука
Оперативная память Qumo QUM4S-4G2400KK16 DDR4 1x4 GB SODIMM для ноутбука фото 2
Оперативная память Qumo QUM4S-4G2400KK16 DDR4 1x4 GB SODIMM для ноутбука
Оперативная память Qumo QUM4S-4G2400KK16 DDR4 1x4 GB SODIMM для ноутбука

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

Оперативная память Qumo QUM4S-4G2400KK16 DDR4 1x4 GB SODIMM для ноутбука

О товаре

Код: 28283

Объем одного модуля, ГБ
4 ГБ
Частота памяти, МГц
2400 МГц
Пропускная способность, МБ/с
19200 МБ/с
Напряжение, В
1.2 В
Тип памяти
DDR4
Форм-фактор
SODIMM
Смотреть все характеристики Смотреть все характеристики

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

  • Характеристики

Характеристики

Общие характеристики

Объем одного модуля
4 ГБ
Частота памяти
2400 МГц
Пропускная способность
19200 МБ/с
Напряжение
1.2 В
Тип памяти
DDR4
Форм-фактор
SODIMM
Суммарный объем памяти
4 ГБ
Количество модулей в комплекте
1
Количество контактов
260
Наличие радиатора
нет
Страна производителя
Китай
Назначение
для ноутбука

Тайминги

CAS Latency (CL)
16
Row Precharge Delay (tRP)
16
RAS to CAS Delay (tRCD)
16
  • Характеристики

Общие характеристики

Объем одного модуля
4 ГБ
Частота памяти
2400 МГц
Пропускная способность
19200 МБ/с
Напряжение
1.2 В
Тип памяти
DDR4
Форм-фактор
SODIMM
Суммарный объем памяти
4 ГБ
Количество модулей в комплекте
1
Количество контактов
260
Наличие радиатора
нет
Страна производителя
Китай
Назначение
для ноутбука

Тайминги

CAS Latency (CL)
16
Row Precharge Delay (tRP)
16
RAS to CAS Delay (tRCD)
16
🔸 Объем одного модуля4, ГБ
🔸 Частота памяти2400, МГц
🔸 Пропускная способность19200, МБ/с
🔸 Напряжение1.2, В