Оперативная память Crucial CT51264BD160B DDR3L 1x4 GB DIMM для ПК
Оперативная память Crucial CT51264BD160B DDR3L 1x4 GB DIMM для ПК фото 2
Оперативная память Crucial CT51264BD160B DDR3L 1x4 GB DIMM для ПК фото 3
Оперативная память Crucial CT51264BD160B DDR3L 1x4 GB DIMM для ПК
Оперативная память Crucial CT51264BD160B DDR3L 1x4 GB DIMM для ПК фото 2
Оперативная память Crucial CT51264BD160B DDR3L 1x4 GB DIMM для ПК фото 3
Оперативная память Crucial CT51264BD160B DDR3L 1x4 GB DIMM для ПК
Оперативная память Crucial CT51264BD160B DDR3L 1x4 GB DIMM для ПК
Оперативная память Crucial CT51264BD160B DDR3L 1x4 GB DIMM для ПК

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

Оперативная память Crucial CT51264BD160B DDR3L 1x4 GB DIMM для ПК

О товаре

Код: 28827

Объем одного модуля, ГБ
4 ГБ
Частота памяти, МГц
1600 МГц
Пропускная способность, МБ/с
12800 МБ/с
Напряжение, В
1.35 В
Форм-фактор
DIMM
Тип памяти
DDR3L
Смотреть все характеристики Смотреть все характеристики

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

  • Характеристики

Характеристики

Общие характеристики

Объем одного модуля
4 ГБ
Частота памяти
1600 МГц
Пропускная способность
12800 МБ/с
Напряжение
1.35 В
Наличие радиатора
нет
Страна производителя
Китай
Форм-фактор
DIMM
Количество модулей в комплекте
1
Тип памяти
DDR3L
Суммарный объем памяти
4 ГБ
Количество контактов
240
Назначение
для ПК

Тайминги

Row Precharge Delay (tRP)
11
RAS to CAS Delay (tRCD)
11
Activate to Precharge Delay (tRAS)
28
CAS Latency (CL)
11
  • Характеристики

Общие характеристики

Объем одного модуля
4 ГБ
Частота памяти
1600 МГц
Пропускная способность
12800 МБ/с
Напряжение
1.35 В
Наличие радиатора
нет
Страна производителя
Китай
Форм-фактор
DIMM
Количество модулей в комплекте
1
Тип памяти
DDR3L
Суммарный объем памяти
4 ГБ
Количество контактов
240
Назначение
для ПК

Тайминги

Row Precharge Delay (tRP)
11
RAS to CAS Delay (tRCD)
11
Activate to Precharge Delay (tRAS)
28
CAS Latency (CL)
11
🔸 Объем одного модуля4, ГБ
🔸 Частота памяти1600, МГц
🔸 Пропускная способность12800, МБ/с
🔸 Напряжение1.35, В