Оперативная память Patriot PSD44G213382S DDR4 1x4 GB SODIMM для ноутбука
Оперативная память Patriot PSD44G213382S DDR4 1x4 GB SODIMM для ноутбука фото 2
Оперативная память Patriot PSD44G213382S DDR4 1x4 GB SODIMM для ноутбука фото 3
Оперативная память Patriot PSD44G213382S DDR4 1x4 GB SODIMM для ноутбука
Оперативная память Patriot PSD44G213382S DDR4 1x4 GB SODIMM для ноутбука фото 2
Оперативная память Patriot PSD44G213382S DDR4 1x4 GB SODIMM для ноутбука фото 3
Оперативная память Patriot PSD44G213382S DDR4 1x4 GB SODIMM для ноутбука
Оперативная память Patriot PSD44G213382S DDR4 1x4 GB SODIMM для ноутбука
Оперативная память Patriot PSD44G213382S DDR4 1x4 GB SODIMM для ноутбука

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

Оперативная память Patriot PSD44G213382S DDR4 1x4 GB SODIMM для ноутбука

О товаре

Код: 28831

Объем одного модуля, ГБ
4 ГБ
Частота памяти, МГц
2133 МГц
Пропускная способность, МБ/с
17000 МБ/с
Напряжение, В
1.2 В
Тип памяти
DDR4
Форм-фактор
SODIMM
Смотреть все характеристики Смотреть все характеристики

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

  • Характеристики

Характеристики

Общие характеристики

Объем одного модуля
4 ГБ
Частота памяти
2133 МГц
Пропускная способность
17000 МБ/с
Напряжение
1.2 В
Страна производителя
Китай
Суммарный объем памяти
4 ГБ
Назначение
для ноутбука
Количество контактов
260
Наличие радиатора
нет
Количество модулей в комплекте
1
Тип памяти
DDR4
Форм-фактор
SODIMM

Тайминги

Activate to Precharge Delay (tRAS)
36
CAS Latency (CL)
15
RAS to CAS Delay (tRCD)
15
Row Precharge Delay (tRP)
15
  • Характеристики

Общие характеристики

Объем одного модуля
4 ГБ
Частота памяти
2133 МГц
Пропускная способность
17000 МБ/с
Напряжение
1.2 В
Страна производителя
Китай
Суммарный объем памяти
4 ГБ
Назначение
для ноутбука
Количество контактов
260
Наличие радиатора
нет
Количество модулей в комплекте
1
Тип памяти
DDR4
Форм-фактор
SODIMM

Тайминги

Activate to Precharge Delay (tRAS)
36
CAS Latency (CL)
15
RAS to CAS Delay (tRCD)
15
Row Precharge Delay (tRP)
15
🔸 Объем одного модуля4, ГБ
🔸 Частота памяти2133, МГц
🔸 Пропускная способность17000, МБ/с
🔸 Напряжение1.2, В