Оперативная память Hynix HMA851S6JJR6N-VKN0 DDR4 1x4 GB SODIMM для ноутбука
Оперативная память Hynix HMA851S6JJR6N-VKN0 DDR4 1x4 GB SODIMM для ноутбука
Оперативная память Hynix HMA851S6JJR6N-VKN0 DDR4 1x4 GB SODIMM для ноутбука

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

Оперативная память Hynix HMA851S6JJR6N-VKN0 DDR4 1x4 GB SODIMM для ноутбука

О товаре

Код: 30451

Объем одного модуля, ГБ
4 ГБ
Частота памяти, МГц
2666 МГц
Пропускная способность, МБ/с
21300 МБ/с
Напряжение, В
1.2 В
Форм-фактор
SODIMM
Тип памяти
DDR4
Смотреть все характеристики Смотреть все характеристики

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

  • Характеристики

Характеристики

Общие характеристики

Объем одного модуля
4 ГБ
Частота памяти
2666 МГц
Пропускная способность
21300 МБ/с
Напряжение
1.2 В
Количество контактов
260
Назначение
для ноутбука
Форм-фактор
SODIMM
Тип памяти
DDR4
Суммарный объем памяти
4 ГБ
Количество модулей в комплекте
1
Страна производителя
Корея

Тайминги

CAS Latency (CL)
19
RAS to CAS Delay (tRCD)
19
Row Precharge Delay (tRP)
19
  • Характеристики

Общие характеристики

Объем одного модуля
4 ГБ
Частота памяти
2666 МГц
Пропускная способность
21300 МБ/с
Напряжение
1.2 В
Количество контактов
260
Назначение
для ноутбука
Форм-фактор
SODIMM
Тип памяти
DDR4
Суммарный объем памяти
4 ГБ
Количество модулей в комплекте
1
Страна производителя
Корея

Тайминги

CAS Latency (CL)
19
RAS to CAS Delay (tRCD)
19
Row Precharge Delay (tRP)
19
🔸 Объем одного модуля4, ГБ
🔸 Частота памяти2666, МГц
🔸 Пропускная способность21300, МБ/с
🔸 Напряжение1.2, В