За наличные -5%
Оригинальный товар
Гарантия низкой цены
Онлайн поддержка
1 год гарантии
Оперативная память Hynix HMA851S6JJR6N-VKN0 DDR4 1x4 GB SODIMM для ноутбука
О товаре
Код: 30451
- Объем одного модуля, ГБ
- 4 ГБ
- Частота памяти, МГц
- 2666 МГц
- Пропускная способность, МБ/с
- 21300 МБ/с
- Напряжение, В
- 1.2 В
- Форм-фактор
- SODIMM
- Тип памяти
- DDR4
За наличные -5%
Оригинальный товар
Гарантия низкой цены
Онлайн поддержка
1 год гарантии
- Характеристики
Характеристики
Общие характеристики
- Объем одного модуля
- 4 ГБ
- Частота памяти
- 2666 МГц
- Пропускная способность
- 21300 МБ/с
- Напряжение
- 1.2 В
- Количество контактов
- 260
- Назначение
- для ноутбука
- Форм-фактор
- SODIMM
- Тип памяти
- DDR4
- Суммарный объем памяти
- 4 ГБ
- Количество модулей в комплекте
- 1
- Страна производителя
- Корея
Тайминги
- CAS Latency (CL)
- 19
- RAS to CAS Delay (tRCD)
- 19
- Row Precharge Delay (tRP)
- 19
- Характеристики
Общие характеристики
- Объем одного модуля
- 4 ГБ
- Частота памяти
- 2666 МГц
- Пропускная способность
- 21300 МБ/с
- Напряжение
- 1.2 В
- Количество контактов
- 260
- Назначение
- для ноутбука
- Форм-фактор
- SODIMM
- Тип памяти
- DDR4
- Суммарный объем памяти
- 4 ГБ
- Количество модулей в комплекте
- 1
- Страна производителя
- Корея
Тайминги
- CAS Latency (CL)
- 19
- RAS to CAS Delay (tRCD)
- 19
- Row Precharge Delay (tRP)
- 19
🔸 Объем одного модуля | 4, ГБ |
🔸 Частота памяти | 2666, МГц |
🔸 Пропускная способность | 21300, МБ/с |
🔸 Напряжение | 1.2, В |