Оперативная память Kingmax KM-SD4-2400-16GS DDR4 1x16 GB SODIMM для ноутбука
Оперативная память Kingmax KM-SD4-2400-16GS DDR4 1x16 GB SODIMM для ноутбука фото 2
Оперативная память Kingmax KM-SD4-2400-16GS DDR4 1x16 GB SODIMM для ноутбука фото 3
Оперативная память Kingmax KM-SD4-2400-16GS DDR4 1x16 GB SODIMM для ноутбука
Оперативная память Kingmax KM-SD4-2400-16GS DDR4 1x16 GB SODIMM для ноутбука фото 2
Оперативная память Kingmax KM-SD4-2400-16GS DDR4 1x16 GB SODIMM для ноутбука фото 3
Оперативная память Kingmax KM-SD4-2400-16GS DDR4 1x16 GB SODIMM для ноутбука
Оперативная память Kingmax KM-SD4-2400-16GS DDR4 1x16 GB SODIMM для ноутбука
Оперативная память Kingmax KM-SD4-2400-16GS DDR4 1x16 GB SODIMM для ноутбука

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

Оперативная память Kingmax KM-SD4-2400-16GS DDR4 1x16 GB SODIMM для ноутбука

О товаре

Код: 30509

Объем одного модуля, ГБ
16 ГБ
Частота памяти, МГц
2400 МГц
Пропускная способность, МБ/с
19200 МБ/с
Напряжение, В
1.2 В
Тип памяти
DDR4
Форм-фактор
SODIMM
Смотреть все характеристики Смотреть все характеристики

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

  • Характеристики

Характеристики

Общие характеристики

Объем одного модуля
16 ГБ
Частота памяти
2400 МГц
Пропускная способность
19200 МБ/с
Напряжение
1.2 В
Страна производителя
Китай
Количество контактов
260
Назначение
для ноутбука
Тип памяти
DDR4
Форм-фактор
SODIMM
Суммарный объем памяти
16 ГБ
Количество модулей в комплекте
1

Тайминги

Activate to Precharge Delay (tRAS)
39
Row Precharge Delay (tRP)
17
CAS Latency (CL)
17
RAS to CAS Delay (tRCD)
17
  • Характеристики

Общие характеристики

Объем одного модуля
16 ГБ
Частота памяти
2400 МГц
Пропускная способность
19200 МБ/с
Напряжение
1.2 В
Страна производителя
Китай
Количество контактов
260
Назначение
для ноутбука
Тип памяти
DDR4
Форм-фактор
SODIMM
Суммарный объем памяти
16 ГБ
Количество модулей в комплекте
1

Тайминги

Activate to Precharge Delay (tRAS)
39
Row Precharge Delay (tRP)
17
CAS Latency (CL)
17
RAS to CAS Delay (tRCD)
17
🔸 Объем одного модуля16, ГБ
🔸 Частота памяти2400, МГц
🔸 Пропускная способность19200, МБ/с
🔸 Напряжение1.2, В