Оперативная память HyperX HX426C16FB3K4/16 DDR4 4x4 GB DIMM для ПК
Оперативная память HyperX HX426C16FB3K4/16 DDR4 4x4 GB DIMM для ПК фото 2
Оперативная память HyperX HX426C16FB3K4/16 DDR4 4x4 GB DIMM для ПК фото 3
Оперативная память HyperX HX426C16FB3K4/16 DDR4 4x4 GB DIMM для ПК
Оперативная память HyperX HX426C16FB3K4/16 DDR4 4x4 GB DIMM для ПК фото 2
Оперативная память HyperX HX426C16FB3K4/16 DDR4 4x4 GB DIMM для ПК фото 3
Оперативная память HyperX HX426C16FB3K4/16 DDR4 4x4 GB DIMM для ПК
Оперативная память HyperX HX426C16FB3K4/16 DDR4 4x4 GB DIMM для ПК
Оперативная память HyperX HX426C16FB3K4/16 DDR4 4x4 GB DIMM для ПК

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

Оперативная память HyperX HX426C16FB3K4/16 DDR4 4x4 GB DIMM для ПК

О товаре

Код: 30964

Объем одного модуля, ГБ
4 ГБ
Частота памяти, МГц
2666 МГц
Пропускная способность, МБ/с
21300 МБ/с
Напряжение, В
1.2 В
Тип памяти
DDR4
Форм-фактор
DIMM
Смотреть все характеристики Смотреть все характеристики

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

  • Характеристики

Характеристики

Общие характеристики

Объем одного модуля
4 ГБ
Частота памяти
2666 МГц
Пропускная способность
21300 МБ/с
Напряжение
1.2 В
Наличие радиатора
есть
Количество контактов
288
Суммарный объем памяти
16 ГБ
Назначение
для ПК
Тип памяти
DDR4
Количество модулей в комплекте
4
Форм-фактор
DIMM
Страна производителя
Китай

Тайминги

Row Precharge Delay (tRP)
18
Activate to Precharge Delay (tRAS)
29
RAS to CAS Delay (tRCD)
18
CAS Latency (CL)
16
  • Характеристики

Общие характеристики

Объем одного модуля
4 ГБ
Частота памяти
2666 МГц
Пропускная способность
21300 МБ/с
Напряжение
1.2 В
Наличие радиатора
есть
Количество контактов
288
Суммарный объем памяти
16 ГБ
Назначение
для ПК
Тип памяти
DDR4
Количество модулей в комплекте
4
Форм-фактор
DIMM
Страна производителя
Китай

Тайминги

Row Precharge Delay (tRP)
18
Activate to Precharge Delay (tRAS)
29
RAS to CAS Delay (tRCD)
18
CAS Latency (CL)
16
🔸 Объем одного модуля4, ГБ
🔸 Частота памяти2666, МГц
🔸 Пропускная способность21300, МБ/с
🔸 Напряжение1.2, В