Оперативная память Corsair CMK16GX4M2A2400C16R DDR4 2x8 GB DIMM для ПК
Оперативная память Corsair CMK16GX4M2A2400C16R DDR4 2x8 GB DIMM для ПК фото 2
Оперативная память Corsair CMK16GX4M2A2400C16R DDR4 2x8 GB DIMM для ПК фото 3
Оперативная память Corsair CMK16GX4M2A2400C16R DDR4 2x8 GB DIMM для ПК
Оперативная память Corsair CMK16GX4M2A2400C16R DDR4 2x8 GB DIMM для ПК фото 2
Оперативная память Corsair CMK16GX4M2A2400C16R DDR4 2x8 GB DIMM для ПК фото 3
Оперативная память Corsair CMK16GX4M2A2400C16R DDR4 2x8 GB DIMM для ПК
Оперативная память Corsair CMK16GX4M2A2400C16R DDR4 2x8 GB DIMM для ПК
Оперативная память Corsair CMK16GX4M2A2400C16R DDR4 2x8 GB DIMM для ПК

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

Оперативная память Corsair CMK16GX4M2A2400C16R DDR4 2x8 GB DIMM для ПК

О товаре

Код: 31312

Объем одного модуля, ГБ
8 ГБ
Частота памяти, МГц
2400 МГц
Пропускная способность, МБ/с
19200 МБ/с
Напряжение, В
1.2 В
Тип памяти
DDR4
Форм-фактор
DIMM
Смотреть все характеристики Смотреть все характеристики

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

  • Характеристики

Характеристики

Общие характеристики

Объем одного модуля
8 ГБ
Частота памяти
2400 МГц
Пропускная способность
19200 МБ/с
Напряжение
1.2 В
Суммарный объем памяти
16 ГБ
Количество модулей в комплекте
2
Назначение
для ПК
Тип памяти
DDR4
Наличие радиатора
есть
Количество контактов
288
Страна производителя
Китай
Форм-фактор
DIMM

Тайминги

Row Precharge Delay (tRP)
16
Activate to Precharge Delay (tRAS)
39
RAS to CAS Delay (tRCD)
16
CAS Latency (CL)
16
  • Характеристики

Общие характеристики

Объем одного модуля
8 ГБ
Частота памяти
2400 МГц
Пропускная способность
19200 МБ/с
Напряжение
1.2 В
Суммарный объем памяти
16 ГБ
Количество модулей в комплекте
2
Назначение
для ПК
Тип памяти
DDR4
Наличие радиатора
есть
Количество контактов
288
Страна производителя
Китай
Форм-фактор
DIMM

Тайминги

Row Precharge Delay (tRP)
16
Activate to Precharge Delay (tRAS)
39
RAS to CAS Delay (tRCD)
16
CAS Latency (CL)
16
🔸 Объем одного модуля8, ГБ
🔸 Частота памяти2400, МГц
🔸 Пропускная способность19200, МБ/с
🔸 Напряжение1.2, В