Оперативная память Corsair CMK16GX4M2B3000C15R DDR4 2x8 GB DIMM для ПК
Оперативная память Corsair CMK16GX4M2B3000C15R DDR4 2x8 GB DIMM для ПК фото 2
Оперативная память Corsair CMK16GX4M2B3000C15R DDR4 2x8 GB DIMM для ПК фото 3
Оперативная память Corsair CMK16GX4M2B3000C15R DDR4 2x8 GB DIMM для ПК
Оперативная память Corsair CMK16GX4M2B3000C15R DDR4 2x8 GB DIMM для ПК фото 2
Оперативная память Corsair CMK16GX4M2B3000C15R DDR4 2x8 GB DIMM для ПК фото 3
Оперативная память Corsair CMK16GX4M2B3000C15R DDR4 2x8 GB DIMM для ПК
Оперативная память Corsair CMK16GX4M2B3000C15R DDR4 2x8 GB DIMM для ПК
Оперативная память Corsair CMK16GX4M2B3000C15R DDR4 2x8 GB DIMM для ПК

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

Оперативная память Corsair CMK16GX4M2B3000C15R DDR4 2x8 GB DIMM для ПК

О товаре

Код: 31313

Объем одного модуля, ГБ
8 ГБ
Частота памяти, МГц
3000 МГц
Пропускная способность, МБ/с
24000 МБ/с
Напряжение, В
1.35 В
Тип памяти
DDR4
Форм-фактор
DIMM
Смотреть все характеристики Смотреть все характеристики

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

  • Характеристики

Характеристики

Общие характеристики

Объем одного модуля
8 ГБ
Частота памяти
3000 МГц
Пропускная способность
24000 МБ/с
Напряжение
1.35 В
Суммарный объем памяти
16 ГБ
Страна производителя
Китай
Количество модулей в комплекте
2
Количество контактов
288
Тип памяти
DDR4
Форм-фактор
DIMM
Назначение
для ПК
Наличие радиатора
есть

Тайминги

Row Precharge Delay (tRP)
17
RAS to CAS Delay (tRCD)
17
Activate to Precharge Delay (tRAS)
35
CAS Latency (CL)
15
  • Характеристики

Общие характеристики

Объем одного модуля
8 ГБ
Частота памяти
3000 МГц
Пропускная способность
24000 МБ/с
Напряжение
1.35 В
Суммарный объем памяти
16 ГБ
Страна производителя
Китай
Количество модулей в комплекте
2
Количество контактов
288
Тип памяти
DDR4
Форм-фактор
DIMM
Назначение
для ПК
Наличие радиатора
есть

Тайминги

Row Precharge Delay (tRP)
17
RAS to CAS Delay (tRCD)
17
Activate to Precharge Delay (tRAS)
35
CAS Latency (CL)
15
🔸 Объем одного модуля8, ГБ
🔸 Частота памяти3000, МГц
🔸 Пропускная способность24000, МБ/с
🔸 Напряжение1.35, В