Оперативная память Corsair CMW16GX4M2K4000C19 DDR4 2x8 GB DIMM для ПК
Оперативная память Corsair CMW16GX4M2K4000C19 DDR4 2x8 GB DIMM для ПК фото 2
Оперативная память Corsair CMW16GX4M2K4000C19 DDR4 2x8 GB DIMM для ПК фото 3
Оперативная память Corsair CMW16GX4M2K4000C19 DDR4 2x8 GB DIMM для ПК
Оперативная память Corsair CMW16GX4M2K4000C19 DDR4 2x8 GB DIMM для ПК фото 2
Оперативная память Corsair CMW16GX4M2K4000C19 DDR4 2x8 GB DIMM для ПК фото 3
Оперативная память Corsair CMW16GX4M2K4000C19 DDR4 2x8 GB DIMM для ПК
Оперативная память Corsair CMW16GX4M2K4000C19 DDR4 2x8 GB DIMM для ПК
Оперативная память Corsair CMW16GX4M2K4000C19 DDR4 2x8 GB DIMM для ПК

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

Оперативная память Corsair CMW16GX4M2K4000C19 DDR4 2x8 GB DIMM для ПК

О товаре

Код: 31320

Объем одного модуля, ГБ
8 ГБ
Частота памяти, МГц
4000 МГц
Пропускная способность, МБ/с
32000 МБ/с
Напряжение, В
1.35 В
Форм-фактор
DIMM
Тип памяти
DDR4
Смотреть все характеристики Смотреть все характеристики

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

  • Характеристики

Характеристики

Общие характеристики

Объем одного модуля
8 ГБ
Частота памяти
4000 МГц
Пропускная способность
32000 МБ/с
Напряжение
1.35 В
Количество модулей в комплекте
2
Количество контактов
288
Форм-фактор
DIMM
Назначение
для ПК
Тип памяти
DDR4
Суммарный объем памяти
16 ГБ
Страна производителя
Китай
Наличие радиатора
есть

Тайминги

Activate to Precharge Delay (tRAS)
45
CAS Latency (CL)
19
RAS to CAS Delay (tRCD)
23
Row Precharge Delay (tRP)
23
  • Характеристики

Общие характеристики

Объем одного модуля
8 ГБ
Частота памяти
4000 МГц
Пропускная способность
32000 МБ/с
Напряжение
1.35 В
Количество модулей в комплекте
2
Количество контактов
288
Форм-фактор
DIMM
Назначение
для ПК
Тип памяти
DDR4
Суммарный объем памяти
16 ГБ
Страна производителя
Китай
Наличие радиатора
есть

Тайминги

Activate to Precharge Delay (tRAS)
45
CAS Latency (CL)
19
RAS to CAS Delay (tRCD)
23
Row Precharge Delay (tRP)
23
🔸 Объем одного модуля8, ГБ
🔸 Частота памяти4000, МГц
🔸 Пропускная способность32000, МБ/с
🔸 Напряжение1.35, В