Оперативная память Kingston KF426C13RBK4/32 DDR4 4x8 GB DIMM для ПК
Оперативная память Kingston KF426C13RBK4/32 DDR4 4x8 GB DIMM для ПК фото 2
Оперативная память Kingston KF426C13RBK4/32 DDR4 4x8 GB DIMM для ПК фото 3
Оперативная память Kingston KF426C13RBK4/32 DDR4 4x8 GB DIMM для ПК
Оперативная память Kingston KF426C13RBK4/32 DDR4 4x8 GB DIMM для ПК фото 2
Оперативная память Kingston KF426C13RBK4/32 DDR4 4x8 GB DIMM для ПК фото 3
Оперативная память Kingston KF426C13RBK4/32 DDR4 4x8 GB DIMM для ПК
Оперативная память Kingston KF426C13RBK4/32 DDR4 4x8 GB DIMM для ПК
Оперативная память Kingston KF426C13RBK4/32 DDR4 4x8 GB DIMM для ПК

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

Оперативная память Kingston KF426C13RBK4/32 DDR4 4x8 GB DIMM для ПК

О товаре

Код: 32547

Объем одного модуля, Гб
8 Гб
Частота памяти, МГц
2666 МГц
Пропускная способность, МБ/с
21300 МБ/с
Напряжение, В
1.35 В
Форм-фактор
DIMM
Тип памяти
DDR4
Смотреть все характеристики Смотреть все характеристики

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

  • Характеристики

Характеристики

Общие характеристики

Объем одного модуля
8 Гб
Частота памяти
2666 МГц
Пропускная способность
21300 МБ/с
Напряжение
1.35 В
Количество контактов
288
Назначение
для ПК
Количество модулей в комплекте
4
Страна производителя
Китай
Форм-фактор
DIMM
Тип памяти
DDR4
Суммарный объем памяти
32 ГБ
Наличие радиатора
Да

Тайминги

CAS Latency (CL)
13
Row Precharge Delay (tRP)
15
Activate to Precharge Delay (tRAS)
32
RAS to CAS Delay (tRCD)
15

Конструкция

Низкопрофильная (Low Profile)
Нет
  • Характеристики

Общие характеристики

Объем одного модуля
8 Гб
Частота памяти
2666 МГц
Пропускная способность
21300 МБ/с
Напряжение
1.35 В
Количество контактов
288
Назначение
для ПК
Количество модулей в комплекте
4
Страна производителя
Китай
Форм-фактор
DIMM
Тип памяти
DDR4
Суммарный объем памяти
32 ГБ
Наличие радиатора
Да

Тайминги

CAS Latency (CL)
13
Row Precharge Delay (tRP)
15
Activate to Precharge Delay (tRAS)
32
RAS to CAS Delay (tRCD)
15

Конструкция

Низкопрофильная (Low Profile)
Нет
🔸 Объем одного модуля8, Гб
🔸 Частота памяти2666, МГц
🔸 Пропускная способность21300, МБ/с
🔸 Напряжение1.35, В