Оперативная память Kingston KF318C10BBK2/8 DDR3 2x4 GB DIMM для ПК
Оперативная память Kingston KF318C10BBK2/8 DDR3 2x4 GB DIMM для ПК фото 2
Оперативная память Kingston KF318C10BBK2/8 DDR3 2x4 GB DIMM для ПК фото 3
Оперативная память Kingston KF318C10BBK2/8 DDR3 2x4 GB DIMM для ПК
Оперативная память Kingston KF318C10BBK2/8 DDR3 2x4 GB DIMM для ПК фото 2
Оперативная память Kingston KF318C10BBK2/8 DDR3 2x4 GB DIMM для ПК фото 3
Оперативная память Kingston KF318C10BBK2/8 DDR3 2x4 GB DIMM для ПК
Оперативная память Kingston KF318C10BBK2/8 DDR3 2x4 GB DIMM для ПК
Оперативная память Kingston KF318C10BBK2/8 DDR3 2x4 GB DIMM для ПК

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

Оперативная память Kingston KF318C10BBK2/8 DDR3 2x4 GB DIMM для ПК

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

О товаре

Код: 34021

Объем одного модуля, Гб
4 Гб
Частота памяти, МГц
1866 МГц
Пропускная способность, МБ/с
14900 МБ/с
Напряжение, В
1.5 В
Форм-фактор
DIMM
Тип памяти
DDR3
Смотреть все характеристики Смотреть все характеристики
  • Характеристики
  • FAQ

Характеристики

Общие характеристики

Объем одного модуля
4 Гб
Частота памяти
1866 МГц
Пропускная способность
14900 МБ/с
Напряжение
1.5 В
Форм-фактор
DIMM
Тип памяти
DDR3
Страна производителя
Китай
Назначение
для ПК
Суммарный объем памяти
8 ГБ
Наличие радиатора
Да

Тайминги

CAS Latency (CL)
10
Row Precharge Delay (tRP)
10
Activate to Precharge Delay (tRAS)
38
RAS to CAS Delay (tRCD)
11

Конструкция

Низкопрофильная (Low Profile)
Нет
  • Характеристики

Общие характеристики

Объем одного модуля
4 Гб
Частота памяти
1866 МГц
Пропускная способность
14900 МБ/с
Напряжение
1.5 В
Форм-фактор
DIMM
Тип памяти
DDR3
Страна производителя
Китай
Назначение
для ПК
Суммарный объем памяти
8 ГБ
Наличие радиатора
Да

Тайминги

CAS Latency (CL)
10
Row Precharge Delay (tRP)
10
Activate to Precharge Delay (tRAS)
38
RAS to CAS Delay (tRCD)
11

Конструкция

Низкопрофильная (Low Profile)
Нет

Часто задаваемые вопросы

🔸 Объем одного модуля4, Гб
🔸 Частота памяти1866, МГц
🔸 Пропускная способность14900, МБ/с
🔸 Напряжение1.5, В