Оперативная память PNY MN8GSD42666 DDR4 1x8 GB SODIMM для ноутбука
Оперативная память PNY MN8GSD42666 DDR4 1x8 GB SODIMM для ноутбука фото 2
Оперативная память PNY MN8GSD42666 DDR4 1x8 GB SODIMM для ноутбука фото 3
Оперативная память PNY MN8GSD42666 DDR4 1x8 GB SODIMM для ноутбука
Оперативная память PNY MN8GSD42666 DDR4 1x8 GB SODIMM для ноутбука фото 2
Оперативная память PNY MN8GSD42666 DDR4 1x8 GB SODIMM для ноутбука фото 3
Оперативная память PNY MN8GSD42666 DDR4 1x8 GB SODIMM для ноутбука
Оперативная память PNY MN8GSD42666 DDR4 1x8 GB SODIMM для ноутбука
Оперативная память PNY MN8GSD42666 DDR4 1x8 GB SODIMM для ноутбука

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

Оперативная память PNY MN8GSD42666 DDR4 1x8 GB SODIMM для ноутбука

О товаре

Код: 34814

Объем одного модуля, ГБ
8 ГБ
Частота памяти, МГц
2666 МГц
Пропускная способность, МБ/с
21300 МБ/с
Напряжение, В
1.2 В
Форм-фактор
SODIMM
Тип памяти
DDR4
Смотреть все характеристики Смотреть все характеристики

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

  • Характеристики

Характеристики

Общие характеристики

Объем одного модуля
8 ГБ
Частота памяти
2666 МГц
Пропускная способность
21300 МБ/с
Напряжение
1.2 В
Страна производителя
Китай
Суммарный объем памяти
8 ГБ
Форм-фактор
SODIMM
Тип памяти
DDR4
Назначение
для ноутбука
  • Характеристики

Общие характеристики

Объем одного модуля
8 ГБ
Частота памяти
2666 МГц
Пропускная способность
21300 МБ/с
Напряжение
1.2 В
Страна производителя
Китай
Суммарный объем памяти
8 ГБ
Форм-фактор
SODIMM
Тип памяти
DDR4
Назначение
для ноутбука
🔸 Объем одного модуля8, ГБ
🔸 Частота памяти2666, МГц
🔸 Пропускная способность21300, МБ/с
🔸 Напряжение1.2, В