Твердотельный накопитель GIGABYTE 1000 GB GP-GSM2NE3100TNTD
Твердотельный накопитель GIGABYTE 1000 GB GP-GSM2NE3100TNTD фото 2
Твердотельный накопитель GIGABYTE 1000 GB GP-GSM2NE3100TNTD фото 3
Твердотельный накопитель GIGABYTE 1000 GB GP-GSM2NE3100TNTD фото 4
Твердотельный накопитель GIGABYTE 1000 GB GP-GSM2NE3100TNTD
Твердотельный накопитель GIGABYTE 1000 GB GP-GSM2NE3100TNTD фото 2
Твердотельный накопитель GIGABYTE 1000 GB GP-GSM2NE3100TNTD фото 3
Твердотельный накопитель GIGABYTE 1000 GB GP-GSM2NE3100TNTD фото 4
Твердотельный накопитель GIGABYTE 1000 GB GP-GSM2NE3100TNTD
Твердотельный накопитель GIGABYTE 1000 GB GP-GSM2NE3100TNTD
Твердотельный накопитель GIGABYTE 1000 GB GP-GSM2NE3100TNTD
Твердотельный накопитель GIGABYTE 1000 GB GP-GSM2NE3100TNTD

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

Твердотельный накопитель GIGABYTE 1000 GB GP-GSM2NE3100TNTD

О товаре

Код: 34894

Форм-фактор
2280
Время наработки на отказ, ч
1500000 ч
Объем накопителя
1 ТБ
Скорость записи, МБ/с
2100 МБ/с
Разъем подключения
М.2
Интерфейс подключения
PCI-E 3.0 x4
Смотреть все характеристики Смотреть все характеристики

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

  • Характеристики

Характеристики

Общие характеристики

Назначение
для ноутбука и настольного компьютера
Форм-фактор
2280
Время наработки на отказ
1500000 ч
Страна производителя
Китай
Тип накопителя
внутренний SSD
Макс. рабочая температура
70 °С
Потребляемая мощность
3.5 Вт

Накопитель

Структура памяти
TLC 3D NAND
Объем накопителя
1 ТБ
Скорость записи
2100 МБ/с
Скорость чтения
2500 МБ/с

Подключение

Разъем подключения
М.2
Интерфейс подключения
PCI-E 3.0 x4
  • Характеристики

Общие характеристики

Назначение
для ноутбука и настольного компьютера
Форм-фактор
2280
Время наработки на отказ
1500000 ч
Страна производителя
Китай
Тип накопителя
внутренний SSD
Макс. рабочая температура
70 °С
Потребляемая мощность
3.5 Вт

Накопитель

Структура памяти
TLC 3D NAND
Объем накопителя
1 ТБ
Скорость записи
2100 МБ/с
Скорость чтения
2500 МБ/с

Подключение

Разъем подключения
М.2
Интерфейс подключения
PCI-E 3.0 x4
🔸 Форм-фактор2280
🔸 Время наработки на отказ1500000, ч
🔸 Объем накопителя1 ТБ
🔸 Скорость записи2100, МБ/с