Оперативная память Samsung M471A2K43CB1-CTD DDR4 1x16 GB SODIMM для ноутбука
Оперативная память Samsung M471A2K43CB1-CTD DDR4 1x16 GB SODIMM для ноутбука фото 2
Оперативная память Samsung M471A2K43CB1-CTD DDR4 1x16 GB SODIMM для ноутбука
Оперативная память Samsung M471A2K43CB1-CTD DDR4 1x16 GB SODIMM для ноутбука фото 2
Оперативная память Samsung M471A2K43CB1-CTD DDR4 1x16 GB SODIMM для ноутбука
Оперативная память Samsung M471A2K43CB1-CTD DDR4 1x16 GB SODIMM для ноутбука

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

Оперативная память Samsung M471A2K43CB1-CTD DDR4 1x16 GB SODIMM для ноутбука

О товаре

Код: 40682

Объем одного модуля, ГБ
16 ГБ
Частота памяти, МГц
2666 МГц
Пропускная способность, МБ/с
21300 МБ/с
Напряжение, В
1.2 В
Тип памяти
DDR4
Форм-фактор
SODIMM
Смотреть все характеристики Смотреть все характеристики

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

  • Характеристики

Характеристики

Общие характеристики

Объем одного модуля
16 ГБ
Частота памяти
2666 МГц
Пропускная способность
21300 МБ/с
Напряжение
1.2 В
Страна производителя
Китай
Количество модулей в комплекте
1
Тип памяти
DDR4
Форм-фактор
SODIMM
Назначение
для ноутбука
Суммарный объем памяти
16 ГБ
Количество контактов
260

Тайминги

Activate to Precharge Delay (tRAS)
32
CAS Latency (CL)
19
RAS to CAS Delay (tRCD)
19
Row Precharge Delay (tRP)
19
  • Характеристики

Общие характеристики

Объем одного модуля
16 ГБ
Частота памяти
2666 МГц
Пропускная способность
21300 МБ/с
Напряжение
1.2 В
Страна производителя
Китай
Количество модулей в комплекте
1
Тип памяти
DDR4
Форм-фактор
SODIMM
Назначение
для ноутбука
Суммарный объем памяти
16 ГБ
Количество контактов
260

Тайминги

Activate to Precharge Delay (tRAS)
32
CAS Latency (CL)
19
RAS to CAS Delay (tRCD)
19
Row Precharge Delay (tRP)
19
🔸 Объем одного модуля16, ГБ
🔸 Частота памяти2666, МГц
🔸 Пропускная способность21300, МБ/с
🔸 Напряжение1.2, В