Оперативная память Hynix HMA81GS6DJR8N-XNN0 DDR4 1x8 GB SODIMM для ноутбука

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

Оперативная память Hynix HMA81GS6DJR8N-XNN0 DDR4 1x8 GB SODIMM для ноутбука

Name: Оперативная память Hynix HMA81GS6DJR8N-XNN0 DDR4 1x8 GB SODIMM для ноутбука
Brand: Hynix
Availability: OutOfStock
Rating: 5.0 (163 reviews)

О товаре

Код: 41457

Объем одного модуля, ГБ: 8 ГБ

Частота памяти, МГц: 3200 МГц

Пропускная способность, МБ/с: 25600 МБ/с

Напряжение, В: 1.2 В

Тип памяти: DDR4

Форм-фактор: SODIMM

Смотреть все характеристики Смотреть все характеристики

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

Аксессуары

Материнская плата MaxSun H610M 666 WIFI

-5%6 520 ₽ 6 889 ₽

Серверная материнская плата Supermicro MBD-X13SAE-F-B, Ret

-5%75 800 ₽ 80 091 ₽

Материнская плата Maxsun Challenger B650M WIFI ICE

-5%8 690 ₽ 9 182 ₽

Материнская плата Gigabyte X870 AORUS ELITE WF7 ICE, RTL

-5%30 790 ₽ 32 533 ₽

Материнская плата Gigabyte X870E AORUS ELITE WIFI7

-5%31 190 ₽ 32 956 ₽

Материнская плата Gigabyte X870 AORUS ELITE WIFI7

-5%28 540 ₽ 30 156 ₽

Серверная материнская плата Supermicro MBD-X13SAZ-F-B, Ret

-5%80 230 ₽ 84 771 ₽

Материнская плата MAXSUN Challenger B650M WIFI

-5%7 960 ₽ 8 411 ₽

Материнская плата GIGABYTE X870 GAMING WIFI6

-5%21 400 ₽ 22 611 ₽

Серверная материнская плата Supermicro MBD-X13SRA-TF-B, OEM

-5%110 800 ₽ 117 072 ₽

Характеристики

Характеристики

Общие характеристики

Объем одного модуля: 8 ГБ

Частота памяти: 3200 МГц

Пропускная способность: 25600 МБ/с

Напряжение: 1.2 В

Страна производителя: Китай

Назначение: для ноутбука

Тип памяти: DDR4

Форм-фактор: SODIMM

Суммарный объем памяти: 8 ГБ

Количество модулей в комплекте: 1

Количество контактов: 260

Тайминги

RAS to CAS Delay (tRCD): 22

CAS Latency (CL): 22

Row Precharge Delay (tRP): 22

Характеристики

Общие характеристики

Объем одного модуля: 8 ГБ

Частота памяти: 3200 МГц

Пропускная способность: 25600 МБ/с

Напряжение: 1.2 В

Страна производителя: Китай

Назначение: для ноутбука

Тип памяти: DDR4

Форм-фактор: SODIMM

Суммарный объем памяти: 8 ГБ

Количество модулей в комплекте: 1

Количество контактов: 260

Тайминги

RAS to CAS Delay (tRCD): 22

CAS Latency (CL): 22

Row Precharge Delay (tRP): 22

🔸 Объем одного модуля	8, ГБ
🔸 Частота памяти	3200, МГц
🔸 Пропускная способность	25600, МБ/с
🔸 Напряжение	1.2, В