Оперативная память GeIL GLWS416GB3200C16ADC DDR4 2x8 GB DIMM для ПК
Оперативная память GeIL GLWS416GB3200C16ADC DDR4 2x8 GB DIMM для ПК фото 2
Оперативная память GeIL GLWS416GB3200C16ADC DDR4 2x8 GB DIMM для ПК фото 3
Оперативная память GeIL GLWS416GB3200C16ADC DDR4 2x8 GB DIMM для ПК
Оперативная память GeIL GLWS416GB3200C16ADC DDR4 2x8 GB DIMM для ПК фото 2
Оперативная память GeIL GLWS416GB3200C16ADC DDR4 2x8 GB DIMM для ПК фото 3
Оперативная память GeIL GLWS416GB3200C16ADC DDR4 2x8 GB DIMM для ПК
Оперативная память GeIL GLWS416GB3200C16ADC DDR4 2x8 GB DIMM для ПК
Оперативная память GeIL GLWS416GB3200C16ADC DDR4 2x8 GB DIMM для ПК

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

Оперативная память GeIL GLWS416GB3200C16ADC DDR4 2x8 GB DIMM для ПК

О товаре

Код: 41715

Объем одного модуля, ГБ
8 ГБ
Частота памяти, МГц
3200 МГц
Пропускная способность, МБ/с
25600 МБ/с
Напряжение, В
1.2 В
Форм-фактор
DIMM
Тип памяти
DDR4
Смотреть все характеристики Смотреть все характеристики

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

  • Характеристики

Характеристики

Общие характеристики

Объем одного модуля
8 ГБ
Частота памяти
3200 МГц
Пропускная способность
25600 МБ/с
Напряжение
1.2 В
Количество модулей в комплекте
2
Суммарный объем памяти
16 ГБ
Страна производителя
Китай
Форм-фактор
DIMM
Количество контактов
288
Наличие радиатора
есть
Назначение
для ПК
Тип памяти
DDR4

Тайминги

CAS Latency (CL)
16
Activate to Precharge Delay (tRAS)
36
RAS to CAS Delay (tRCD)
18
Row Precharge Delay (tRP)
18
  • Характеристики

Общие характеристики

Объем одного модуля
8 ГБ
Частота памяти
3200 МГц
Пропускная способность
25600 МБ/с
Напряжение
1.2 В
Количество модулей в комплекте
2
Суммарный объем памяти
16 ГБ
Страна производителя
Китай
Форм-фактор
DIMM
Количество контактов
288
Наличие радиатора
есть
Назначение
для ПК
Тип памяти
DDR4

Тайминги

CAS Latency (CL)
16
Activate to Precharge Delay (tRAS)
36
RAS to CAS Delay (tRCD)
18
Row Precharge Delay (tRP)
18
🔸 Объем одного модуля8, ГБ
🔸 Частота памяти3200, МГц
🔸 Пропускная способность25600, МБ/с
🔸 Напряжение1.2, В