Оперативная память DDR3 4Gb 1333MHz Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 RTL PC3-10600 CL9 SO-DIMM 204-pin 1.5В
Оперативная память DDR3 4Gb 1333MHz Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 RTL PC3-10600 CL9 SO-DIMM 204-pin 1.5В фото 2
Оперативная память DDR3 4Gb 1333MHz Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 RTL PC3-10600 CL9 SO-DIMM 204-pin 1.5В фото 3
Оперативная память DDR3 4Gb 1333MHz Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 RTL PC3-10600 CL9 SO-DIMM 204-pin 1.5В
Оперативная память DDR3 4Gb 1333MHz Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 RTL PC3-10600 CL9 SO-DIMM 204-pin 1.5В фото 2
Оперативная память DDR3 4Gb 1333MHz Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 RTL PC3-10600 CL9 SO-DIMM 204-pin 1.5В фото 3
Оперативная память DDR3 4Gb 1333MHz Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 RTL PC3-10600 CL9 SO-DIMM 204-pin 1.5В
Оперативная память DDR3 4Gb 1333MHz Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 RTL PC3-10600 CL9 SO-DIMM 204-pin 1.5В
Оперативная память DDR3 4Gb 1333MHz Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 RTL PC3-10600 CL9 SO-DIMM 204-pin 1.5В

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

Оперативная память DDR3 4Gb 1333MHz Corsair CMSO4GX3M1A1333C9 RTL PC3-10600 CL9 SO-DIMM 204-pin 1.5В

О товаре

Код: 44472

Объем одного модуля, ГБ
4 ГБ
Частота памяти, МГц
1333 МГц
Напряжение, В
1.5 В
Тип памяти
DDR3
Форм-фактор
SODIMM
Смотреть все характеристики Смотреть все характеристики

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

  • Характеристики

Характеристики

Общие характеристики

Объем одного модуля
4 ГБ
Частота памяти
1333 МГц
Напряжение
1.5 В
Тип памяти
DDR3
Форм-фактор
SODIMM
Суммарный объем памяти
4 ГБ
Количество модулей в комплекте
1
Страна производителя
Тайвань
Назначение
для ноутбука
Количество контактов
204

Тайминги

Row Precharge Delay (tRP)
9
RAS to CAS Delay (tRCD)
9
CAS Latency (CL)
9
Activate to Precharge Delay (tRAS)
24
  • Характеристики

Общие характеристики

Объем одного модуля
4 ГБ
Частота памяти
1333 МГц
Напряжение
1.5 В
Тип памяти
DDR3
Форм-фактор
SODIMM
Суммарный объем памяти
4 ГБ
Количество модулей в комплекте
1
Страна производителя
Тайвань
Назначение
для ноутбука
Количество контактов
204

Тайминги

Row Precharge Delay (tRP)
9
RAS to CAS Delay (tRCD)
9
CAS Latency (CL)
9
Activate to Precharge Delay (tRAS)
24
🔸 Объем одного модуля4, ГБ
🔸 Частота памяти1333, МГц
🔸 Напряжение1.5, В
🔸 Тип памятиDDR3