Оперативная память 2Gb DDR-III 1600Mhz AMD (R532G1601U1S-UGO) OEM
Оперативная память 2Gb DDR-III 1600Mhz AMD (R532G1601U1S-UGO) OEM фото 2
Оперативная память 2Gb DDR-III 1600Mhz AMD (R532G1601U1S-UGO) OEM
Оперативная память 2Gb DDR-III 1600Mhz AMD (R532G1601U1S-UGO) OEM фото 2
Оперативная память 2Gb DDR-III 1600Mhz AMD (R532G1601U1S-UGO) OEM
Оперативная память 2Gb DDR-III 1600Mhz AMD (R532G1601U1S-UGO) OEM

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

Оперативная память 2Gb DDR-III 1600Mhz AMD (R532G1601U1S-UGO) OEM

О товаре

Код: 44487

Объем одного модуля, ГБ
2 ГБ
Частота памяти, МГц
1600 МГц
Пропускная способность, МБ/с
12800 МБ/с
Напряжение, В
1.5 В
Тип памяти
DDR3
Форм-фактор
DIMM
Смотреть все характеристики Смотреть все характеристики

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

  • Характеристики

Характеристики

Общие характеристики

Объем одного модуля
2 ГБ
Частота памяти
1600 МГц
Пропускная способность
12800 МБ/с
Напряжение
1.5 В
Тип памяти
DDR3
Суммарный объем памяти
2 ГБ
Назначение
для ПК
Количество модулей в комплекте
1
Количество контактов
240
Наличие радиатора
нет
Форм-фактор
DIMM
Страна производителя
Тайвань (китай)

Тайминги

RAS to CAS Delay (tRCD)
11
CAS Latency (CL)
11
Row Precharge Delay (tRP)
11
Activate to Precharge Delay (tRAS)
28
  • Характеристики

Общие характеристики

Объем одного модуля
2 ГБ
Частота памяти
1600 МГц
Пропускная способность
12800 МБ/с
Напряжение
1.5 В
Тип памяти
DDR3
Суммарный объем памяти
2 ГБ
Назначение
для ПК
Количество модулей в комплекте
1
Количество контактов
240
Наличие радиатора
нет
Форм-фактор
DIMM
Страна производителя
Тайвань (китай)

Тайминги

RAS to CAS Delay (tRCD)
11
CAS Latency (CL)
11
Row Precharge Delay (tRP)
11
Activate to Precharge Delay (tRAS)
28
🔸 Объем одного модуля2, ГБ
🔸 Частота памяти1600, МГц
🔸 Пропускная способность12800, МБ/с
🔸 Напряжение1.5, В