Модуль памяти A-Data AD4S26664G19-BGN DDR4 -  4ГБ 2666, SO-DIMM,  OEM AD4S26664G19-BGN
Модуль памяти A-Data AD4S26664G19-BGN DDR4 -  4ГБ 2666, SO-DIMM,  OEM AD4S26664G19-BGN фото 2
Модуль памяти A-Data AD4S26664G19-BGN DDR4 -  4ГБ 2666, SO-DIMM,  OEM AD4S26664G19-BGN фото 3
Модуль памяти A-Data AD4S26664G19-BGN DDR4 -  4ГБ 2666, SO-DIMM,  OEM AD4S26664G19-BGN фото 4
Модуль памяти A-Data AD4S26664G19-BGN DDR4 -  4ГБ 2666, SO-DIMM,  OEM AD4S26664G19-BGN фото 5
Модуль памяти A-Data AD4S26664G19-BGN DDR4 -  4ГБ 2666, SO-DIMM,  OEM AD4S26664G19-BGN
Модуль памяти A-Data AD4S26664G19-BGN DDR4 -  4ГБ 2666, SO-DIMM,  OEM AD4S26664G19-BGN фото 2
Модуль памяти A-Data AD4S26664G19-BGN DDR4 -  4ГБ 2666, SO-DIMM,  OEM AD4S26664G19-BGN фото 3
Модуль памяти A-Data AD4S26664G19-BGN DDR4 -  4ГБ 2666, SO-DIMM,  OEM AD4S26664G19-BGN фото 4
Модуль памяти A-Data AD4S26664G19-BGN DDR4 -  4ГБ 2666, SO-DIMM,  OEM AD4S26664G19-BGN фото 5
Модуль памяти A-Data AD4S26664G19-BGN DDR4 -  4ГБ 2666, SO-DIMM,  OEM AD4S26664G19-BGN
Модуль памяти A-Data AD4S26664G19-BGN DDR4 -  4ГБ 2666, SO-DIMM,  OEM AD4S26664G19-BGN
Модуль памяти A-Data AD4S26664G19-BGN DDR4 -  4ГБ 2666, SO-DIMM,  OEM AD4S26664G19-BGN
Модуль памяти A-Data AD4S26664G19-BGN DDR4 -  4ГБ 2666, SO-DIMM,  OEM AD4S26664G19-BGN
Модуль памяти A-Data AD4S26664G19-BGN DDR4 -  4ГБ 2666, SO-DIMM,  OEM AD4S26664G19-BGN

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

Модуль памяти A-Data AD4S26664G19-BGN DDR4 - 4ГБ 2666, SO-DIMM, OEM AD4S26664G19-BGN

О товаре

Код: 45526

ПоддержкаECC
Не поддерживается
Объем одного модуля, Гб
4 Гб
Форм-фактор
SO-DIMM
Частота памяти, МГц
2666 МГц
Пропускная способность
21300
Напряжение
1.2В
Смотреть все характеристики Смотреть все характеристики

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

  • Характеристики

Характеристики

Общие характеристики

ПоддержкаECC
Не поддерживается
Буферизация
Unbuffered
Объем одного модуля
4 Гб
Частота памяти
2666 МГц
Пропускная способность
21300
Напряжение
1.2В
Страна производителя
Китай
Назначение
для ноутбука
Тип памяти
DDR4
Количество модулей в комплекте
1
Суммарный объем памяти
4 Гб
Форм-фактор
SO-DIMM
Количество контактов
260-pin
Модель
AD4S26664G19-BGN

Тайминги

RAS to CAS Delay (tRCD)
19
Row Precharge Delay (tRP)
19
CAS Latency (CL)
19
Activate to Precharge Delay (tRAS)
38

Память

Тип памяти
DDR4

Комплектация и размеры

Тип поставки
OEM

Дополнительные характеристики

Габариты упаковки (ед) ДхШхВ
0.069X0.03X0.003
Форм-фактор
SO-DIMM

Конструкция

Тип поставки
OEM

Питание

Напряжение питания
1.2В

Упаковка

Габариты упаковки (ед) ДхШхВ
0.069X0.03X0.003
  • Характеристики

Общие характеристики

ПоддержкаECC
Не поддерживается
Буферизация
Unbuffered
Объем одного модуля
4 Гб
Частота памяти
2666 МГц
Пропускная способность
21300
Напряжение
1.2В
Страна производителя
Китай
Назначение
для ноутбука
Тип памяти
DDR4
Количество модулей в комплекте
1
Суммарный объем памяти
4 Гб
Форм-фактор
SO-DIMM
Количество контактов
260-pin
Модель
AD4S26664G19-BGN

Тайминги

RAS to CAS Delay (tRCD)
19
Row Precharge Delay (tRP)
19
CAS Latency (CL)
19
Activate to Precharge Delay (tRAS)
38

Память

Тип памяти
DDR4

Комплектация и размеры

Тип поставки
OEM

Дополнительные характеристики

Габариты упаковки (ед) ДхШхВ
0.069X0.03X0.003
Форм-фактор
SO-DIMM

Конструкция

Тип поставки
OEM

Питание

Напряжение питания
1.2В

Упаковка

Габариты упаковки (ед) ДхШхВ
0.069X0.03X0.003
🔸 ПоддержкаECCНе поддерживаетсяnull
🔸 Объем одного модуля4, Гб
🔸 Форм-факторSO-DIMMnull
🔸 Частота памяти2666, МГц