Оперативная память HP 16 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL16 7EH86AA
Оперативная память HP 16 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL16 7EH86AA фото 2
Оперативная память HP 16 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL16 7EH86AA фото 3
Оперативная память HP 16 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL16 7EH86AA фото 4
Оперативная память HP 16 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL16 7EH86AA
Оперативная память HP 16 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL16 7EH86AA фото 2
Оперативная память HP 16 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL16 7EH86AA фото 3
Оперативная память HP 16 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL16 7EH86AA фото 4
Оперативная память HP 16 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL16 7EH86AA
Оперативная память HP 16 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL16 7EH86AA
Оперативная память HP 16 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL16 7EH86AA
Оперативная память HP 16 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL16 7EH86AA

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

Оперативная память HP 16 ГБ DDR4 3200 МГц DIMM CL16 7EH86AA

О товаре

Код: 46322

Объем одного модуля, ГБ
16 ГБ
Частота памяти, МГц
3200 МГц
Пропускная способность, МБ/с
25600 МБ/с
Напряжение, В
1.35 В
Форм-фактор
DIMM
Тип памяти
DDR4
Смотреть все характеристики Смотреть все характеристики

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

  • Характеристики

Характеристики

Общие характеристики

Объем одного модуля
16 ГБ
Частота памяти
3200 МГц
Пропускная способность
25600 МБ/с
Напряжение
1.35 В
Суммарный объем памяти
16 ГБ
Назначение
для ПК
Форм-фактор
DIMM
Количество модулей в комплекте
1
Количество контактов
288
Страна производителя
Китай
Наличие радиатора
есть
Тип памяти
DDR4

Тайминги

Row Precharge Delay (tRP)
18
Activate to Precharge Delay (tRAS)
38
CAS Latency (CL)
16
RAS to CAS Delay (tRCD)
18
  • Характеристики

Общие характеристики

Объем одного модуля
16 ГБ
Частота памяти
3200 МГц
Пропускная способность
25600 МБ/с
Напряжение
1.35 В
Суммарный объем памяти
16 ГБ
Назначение
для ПК
Форм-фактор
DIMM
Количество модулей в комплекте
1
Количество контактов
288
Страна производителя
Китай
Наличие радиатора
есть
Тип памяти
DDR4

Тайминги

Row Precharge Delay (tRP)
18
Activate to Precharge Delay (tRAS)
38
CAS Latency (CL)
16
RAS to CAS Delay (tRCD)
18
🔸 Объем одного модуля16, ГБ
🔸 Частота памяти3200, МГц
🔸 Пропускная способность25600, МБ/с
🔸 Напряжение1.35, В