Оперативная память Corsair DDR4 DIMM 3200MHz PC4-25600 CL16 - 16Gb KIT (2x8Gb) CMK16GX4M2B3200C16W
Оперативная память Corsair DDR4 DIMM 3200MHz PC4-25600 CL16 - 16Gb KIT (2x8Gb) CMK16GX4M2B3200C16W фото 2
Оперативная память Corsair DDR4 DIMM 3200MHz PC4-25600 CL16 - 16Gb KIT (2x8Gb) CMK16GX4M2B3200C16W
Оперативная память Corsair DDR4 DIMM 3200MHz PC4-25600 CL16 - 16Gb KIT (2x8Gb) CMK16GX4M2B3200C16W фото 2
Оперативная память Corsair DDR4 DIMM 3200MHz PC4-25600 CL16 - 16Gb KIT (2x8Gb) CMK16GX4M2B3200C16W
Оперативная память Corsair DDR4 DIMM 3200MHz PC4-25600 CL16 - 16Gb KIT (2x8Gb) CMK16GX4M2B3200C16W

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

Оперативная память Corsair DDR4 DIMM 3200MHz PC4-25600 CL16 - 16Gb KIT (2x8Gb) CMK16GX4M2B3200C16W

О товаре

Код: 46701

Объем одного модуля, ГБ
8 ГБ
Частота памяти, МГц
3200 МГц
Пропускная способность, МБ/с
25600 МБ/с
Напряжение, В
1.35 В
Форм-фактор
DIMM
Тип памяти
DDR4
Смотреть все характеристики Смотреть все характеристики

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

  • Характеристики

Характеристики

Общие характеристики

Объем одного модуля
8 ГБ
Частота памяти
3200 МГц
Пропускная способность
25600 МБ/с
Напряжение
1.35 В
Количество контактов
288
Назначение
для ПК
Форм-фактор
DIMM
Суммарный объем памяти
16 ГБ
Тип памяти
DDR4
Количество модулей в комплекте
2
Страна производителя
Тайвань (китай)

Тайминги

RAS to CAS Delay (tRCD)
18
Activate to Precharge Delay (tRAS)
36
CAS Latency (CL)
16
Row Precharge Delay (tRP)
18
  • Характеристики

Общие характеристики

Объем одного модуля
8 ГБ
Частота памяти
3200 МГц
Пропускная способность
25600 МБ/с
Напряжение
1.35 В
Количество контактов
288
Назначение
для ПК
Форм-фактор
DIMM
Суммарный объем памяти
16 ГБ
Тип памяти
DDR4
Количество модулей в комплекте
2
Страна производителя
Тайвань (китай)

Тайминги

RAS to CAS Delay (tRCD)
18
Activate to Precharge Delay (tRAS)
36
CAS Latency (CL)
16
Row Precharge Delay (tRP)
18
🔸 Объем одного модуля8, ГБ
🔸 Частота памяти3200, МГц
🔸 Пропускная способность25600, МБ/с
🔸 Напряжение1.35, В