Оперативная память CBR DDR4 DIMM (UDIMM) 16GB CD4-US16G26M19-00S PC4-21300, 2666MHz, CL19, Micron SDRAM, single rank
Оперативная память CBR DDR4 DIMM (UDIMM) 16GB CD4-US16G26M19-00S PC4-21300, 2666MHz, CL19, Micron SDRAM, single rank
Оперативная память CBR DDR4 DIMM (UDIMM) 16GB CD4-US16G26M19-00S PC4-21300, 2666MHz, CL19, Micron SDRAM, single rank

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

Оперативная память CBR DDR4 DIMM (UDIMM) 16GB CD4-US16G26M19-00S PC4-21300, 2666MHz, CL19, Micron SDRAM, single rank

О товаре

Код: 48340

Объем одного модуля, ГБ
16 ГБ
Частота памяти, МГц
2666 МГц
Пропускная способность, МБ/с
21300 МБ/с
Напряжение, В
1.2 В
Форм-фактор
DIMM
Тип памяти
DDR4
Смотреть все характеристики Смотреть все характеристики

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

  • Обзор
  • Характеристики

Обзор

Обзор оперативной памяти CBR DDR4 DIMM (UDIMM) 16GB CD4-US16G26M19-00S

Оперативная память CBR DDR4 DIMM (UDIMM) 16GB CD4-US16G26M19-00S — это надежный выбор для пользователей, которым необходима высокая производительность и стабильность работы. С объемом 16 ГБ и частотой 2666 МГц, данная память нацелена на удовлетворение потребностей как обычных пользователей, так и более требовательных геймеров и специалистов.

Технические характеристики

Данная модель оперативной памяти обладает рядом ключевых характеристик, которые делают ее конкурентоспособной на современном рынке:

  • Тип памяти: DDR4
  • Форм-фактор: DIMM (UDIMM)
  • Объем: 16 ГБ
  • Частота: 2666 МГц
  • Класс латентности: CL19
  • Тип интерфейса: PC4-21300
  • Производитель: Micron
  • Ранг: single rank

Позитивные аспекты

Оперативная память CBR располагает рядом преимуществ, которые способствуют ее популярности среди пользователей:

  • Высокая производительность: Благодаря частоте 2666 МГц и объему 16 ГБ, память обеспечивает быструю скорость обработки данных, что особенно важно для многозадачности и работы с ресурсоемкими приложениями.
  • Надежность: Micron — известный производитель, поэтому пользователи могут рассчитывать на высокое качество и надежность данной памяти.
  • Энергетическая эффективность: DDR4-память работает на более низком напряжении по сравнению с предыдущими стандартами, что позволяет экономить энергию и продлевать срок службы компонентов.
  • Простота установки: Форм-фактор DIMM обеспечивает легкий процесс установки в совместимые материнские платы без необходимости в сложных настройках.

Недостатки

Несмотря на положительные стороны, у данного продукта есть и свои недостатки:

  • Класс латентности: Хотя CL19 — это приемлемый показатель для большинства пользователей, более высокопроизводительные системы могут требовать памяти с низкой латентностью, что может ограничивать использование CBR в таких ситуациях.
  • Ограниченные возможности разгона: Память подходит для стандартного использования, но может иметь ограничения при попытке разгона, что может не удовлетворить энтузиастов.

Вывод

Оперативная память CBR DDR4 DIMM (UDIMM) 16GB CD4-US16G26M19-00S является отличным решением для пользователей, которым необходима надежная и высокопроизводительная память для современного компьютера. Она отлично справляется с задачами, связанными с многозадачностью и игровыми приложениями, и, несмотря на некоторые ограничения, вполне подходит как для обычных пользователей, так и для геймеров. От выбора этой модели стоит задуматься тем, кто ценит соотношение цены и качества.

Вы можете купить Оперативная память CBR DDR4 DIMM (UDIMM) 16GB CD4-US16G26M19-00S PC4-21300, 2666MHz, CL19, Micron SDRAM, single rank в нашем интернет-магазине Аликсон Маркетплейс с быстрой доставкой по всей России или самовывозом из пунктов выдачи.

Характеристики

Общие характеристики

Объем одного модуля
16 ГБ
Частота памяти
2666 МГц
Пропускная способность
21300 МБ/с
Напряжение
1.2 В
Количество модулей в комплекте
1
Количество контактов
288
Ранговость
одноранговая
Форм-фактор
DIMM
Суммарный объем памяти
16 ГБ
Назначение
для ПК
Тип памяти
DDR4

Тайминги

CAS Latency (CL)
19
Activate to Precharge Delay (tRAS)
43
RAS to CAS Delay (tRCD)
19
Row Precharge Delay (tRP)
19
  • О товаре
  • Характеристики
🔸 Объем одного модуля16, ГБ
🔸 Частота памяти2666, МГц
🔸 Пропускная способность21300, МБ/с
🔸 Напряжение1.2, В