За наличные -5%
Оригинальный товар
Гарантия низкой цены
Онлайн поддержка
1 год гарантии
Оперативная память OCPC SO-DIMM DDR 4 DIMM 4Gb, 2666Mhz, VS MMV4GD426C19S, CL19
О товаре
Код: 49140
- Объем одного модуля, ГБ
- 4 ГБ
- Частота памяти, МГц
- 2666 МГц
- Пропускная способность, МБ/с
- 21300 МБ/с
- Напряжение, В
- 1.2 В
- Тип памяти
- DDR4
- Форм-фактор
- SODIMM
За наличные -5%
Оригинальный товар
Гарантия низкой цены
Онлайн поддержка
1 год гарантии
- Характеристики
Характеристики
Общие характеристики
- Объем одного модуля
- 4 ГБ
- Частота памяти
- 2666 МГц
- Пропускная способность
- 21300 МБ/с
- Напряжение
- 1.2 В
- Суммарный объем памяти
- 4 ГБ
- Количество контактов
- 260
- Тип памяти
- DDR4
- Количество модулей в комплекте
- 1
- Назначение
- для ноутбука
- Форм-фактор
- SODIMM
Тайминги
- CAS Latency (CL)
- 19
- RAS to CAS Delay (tRCD)
- 19
- Activate to Precharge Delay (tRAS)
- 43
- Row Precharge Delay (tRP)
- 19
- Характеристики
Общие характеристики
- Объем одного модуля
- 4 ГБ
- Частота памяти
- 2666 МГц
- Пропускная способность
- 21300 МБ/с
- Напряжение
- 1.2 В
- Суммарный объем памяти
- 4 ГБ
- Количество контактов
- 260
- Тип памяти
- DDR4
- Количество модулей в комплекте
- 1
- Назначение
- для ноутбука
- Форм-фактор
- SODIMM
Тайминги
- CAS Latency (CL)
- 19
- RAS to CAS Delay (tRCD)
- 19
- Activate to Precharge Delay (tRAS)
- 43
- Row Precharge Delay (tRP)
- 19
| 🔸 Объем одного модуля | 4, ГБ |
| 🔸 Частота памяти | 2666, МГц |
| 🔸 Пропускная способность | 21300, МБ/с |
| 🔸 Напряжение | 1.2, В |