Оперативная память SO-DIMM DDR 3 DIMM 4Gb, 1600Mhz, OCPC VS MMV4GD316C11S, CL11
Оперативная память SO-DIMM DDR 3 DIMM 4Gb, 1600Mhz, OCPC VS MMV4GD316C11S, CL11
Оперативная память SO-DIMM DDR 3 DIMM 4Gb, 1600Mhz, OCPC VS MMV4GD316C11S, CL11

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

Оперативная память SO-DIMM DDR 3 DIMM 4Gb, 1600Mhz, OCPC VS MMV4GD316C11S, CL11

О товаре

Код: 49887

Объем одного модуля, ГБ
4 ГБ
Частота памяти, МГц
1600 МГц
Пропускная способность, МБ/с
12800 МБ/с
Напряжение, В
1.35 В
Тип памяти
DDR3
Форм-фактор
SODIMM
Смотреть все характеристики Смотреть все характеристики

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

  • Характеристики

Характеристики

Общие характеристики

Объем одного модуля
4 ГБ
Частота памяти
1600 МГц
Пропускная способность
12800 МБ/с
Напряжение
1.35 В
Количество модулей в комплекте
1
Тип памяти
DDR3
Количество контактов
240
Суммарный объем памяти
4 ГБ
Назначение
для ноутбука
Форм-фактор
SODIMM

Тайминги

CAS Latency (CL)
11
Row Precharge Delay (tRP)
11
RAS to CAS Delay (tRCD)
11
Activate to Precharge Delay (tRAS)
28
  • Характеристики

Общие характеристики

Объем одного модуля
4 ГБ
Частота памяти
1600 МГц
Пропускная способность
12800 МБ/с
Напряжение
1.35 В
Количество модулей в комплекте
1
Тип памяти
DDR3
Количество контактов
240
Суммарный объем памяти
4 ГБ
Назначение
для ноутбука
Форм-фактор
SODIMM

Тайминги

CAS Latency (CL)
11
Row Precharge Delay (tRP)
11
RAS to CAS Delay (tRCD)
11
Activate to Precharge Delay (tRAS)
28
🔸 Объем одного модуля4, ГБ
🔸 Частота памяти1600, МГц
🔸 Пропускная способность12800, МБ/с
🔸 Напряжение1.35, В