Оперативная память 8Gb DDR-III 1600Mhz AMD SO-DIMM (R538G1601S2SL-UO) OEM
Оперативная память 8Gb DDR-III 1600Mhz AMD SO-DIMM (R538G1601S2SL-UO) OEM фото 2
Оперативная память 8Gb DDR-III 1600Mhz AMD SO-DIMM (R538G1601S2SL-UO) OEM фото 3
Оперативная память 8Gb DDR-III 1600Mhz AMD SO-DIMM (R538G1601S2SL-UO) OEM фото 4
Оперативная память 8Gb DDR-III 1600Mhz AMD SO-DIMM (R538G1601S2SL-UO) OEM фото 5
Оперативная память 8Gb DDR-III 1600Mhz AMD SO-DIMM (R538G1601S2SL-UO) OEM
Оперативная память 8Gb DDR-III 1600Mhz AMD SO-DIMM (R538G1601S2SL-UO) OEM фото 2
Оперативная память 8Gb DDR-III 1600Mhz AMD SO-DIMM (R538G1601S2SL-UO) OEM фото 3
Оперативная память 8Gb DDR-III 1600Mhz AMD SO-DIMM (R538G1601S2SL-UO) OEM фото 4
Оперативная память 8Gb DDR-III 1600Mhz AMD SO-DIMM (R538G1601S2SL-UO) OEM фото 5
Оперативная память 8Gb DDR-III 1600Mhz AMD SO-DIMM (R538G1601S2SL-UO) OEM
Оперативная память 8Gb DDR-III 1600Mhz AMD SO-DIMM (R538G1601S2SL-UO) OEM
Оперативная память 8Gb DDR-III 1600Mhz AMD SO-DIMM (R538G1601S2SL-UO) OEM
Оперативная память 8Gb DDR-III 1600Mhz AMD SO-DIMM (R538G1601S2SL-UO) OEM
Оперативная память 8Gb DDR-III 1600Mhz AMD SO-DIMM (R538G1601S2SL-UO) OEM

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

Оперативная память 8Gb DDR-III 1600Mhz AMD SO-DIMM (R538G1601S2SL-UO) OEM

О товаре

Код: 50117

Объем одного модуля, ГБ
8 ГБ
Частота памяти, МГц
1600 МГц
Пропускная способность, МБ/с
12800 МБ/с
Напряжение, В
1.35 В
Форм-фактор
SODIMM
Тип памяти
DDR3L
Смотреть все характеристики Смотреть все характеристики

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

  • Характеристики

Характеристики

Общие характеристики

Объем одного модуля
8 ГБ
Частота памяти
1600 МГц
Пропускная способность
12800 МБ/с
Напряжение
1.35 В
Форм-фактор
SODIMM
Суммарный объем памяти
8 ГБ
Количество модулей в комплекте
1
Назначение
для ноутбука
Тип памяти
DDR3L
Количество контактов
204

Тайминги

CAS Latency (CL)
11
RAS to CAS Delay (tRCD)
11
Activate to Precharge Delay (tRAS)
28
Row Precharge Delay (tRP)
11
  • Характеристики

Общие характеристики

Объем одного модуля
8 ГБ
Частота памяти
1600 МГц
Пропускная способность
12800 МБ/с
Напряжение
1.35 В
Форм-фактор
SODIMM
Суммарный объем памяти
8 ГБ
Количество модулей в комплекте
1
Назначение
для ноутбука
Тип памяти
DDR3L
Количество контактов
204

Тайминги

CAS Latency (CL)
11
RAS to CAS Delay (tRCD)
11
Activate to Precharge Delay (tRAS)
28
Row Precharge Delay (tRP)
11
🔸 Объем одного модуля8, ГБ
🔸 Частота памяти1600, МГц
🔸 Пропускная способность12800, МБ/с
🔸 Напряжение1.35, В