Оперативная память Corsair Vengeance RGB RS 16GB DDR4 (2x8Gb) 3200MHz CL16 (16-20-20-38) 1.35V / CMG16GX4M2E3200C16 / Black
Оперативная память Corsair Vengeance RGB RS 16GB DDR4 (2x8Gb) 3200MHz CL16 (16-20-20-38) 1.35V / CMG16GX4M2E3200C16 / Black фото 2
Оперативная память Corsair Vengeance RGB RS 16GB DDR4 (2x8Gb) 3200MHz CL16 (16-20-20-38) 1.35V / CMG16GX4M2E3200C16 / Black
Оперативная память Corsair Vengeance RGB RS 16GB DDR4 (2x8Gb) 3200MHz CL16 (16-20-20-38) 1.35V / CMG16GX4M2E3200C16 / Black фото 2
Оперативная память Corsair Vengeance RGB RS 16GB DDR4 (2x8Gb) 3200MHz CL16 (16-20-20-38) 1.35V / CMG16GX4M2E3200C16 / Black
Оперативная память Corsair Vengeance RGB RS 16GB DDR4 (2x8Gb) 3200MHz CL16 (16-20-20-38) 1.35V / CMG16GX4M2E3200C16 / Black

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

Оперативная память Corsair Vengeance RGB RS 16GB DDR4 (2x8Gb) 3200MHz CL16 (16-20-20-38) 1.35V / CMG16GX4M2E3200C16 / Black

О товаре

Код: 50167

Объем одного модуля, ГБ
8 ГБ
Частота памяти, МГц
2133 МГц
Пропускная способность, МБ/с
3200 МБ/с
Напряжение, В
1.35 В
Тип памяти
DDR4
Форм-фактор
DIMM
Смотреть все характеристики Смотреть все характеристики

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

  • Характеристики

Характеристики

Общие характеристики

Объем одного модуля
8 ГБ
Частота памяти
2133 МГц
Пропускная способность
3200 МБ/с
Напряжение
1.35 В
Назначение
для ПК
Тип памяти
DDR4
Форм-фактор
DIMM
Суммарный объем памяти
16 ГБ
Количество модулей в комплекте
2
Количество контактов
288

Тайминги

Activate to Precharge Delay (tRAS)
38
CAS Latency (CL)
16
RAS to CAS Delay (tRCD)
20
Row Precharge Delay (tRP)
20
  • Характеристики

Общие характеристики

Объем одного модуля
8 ГБ
Частота памяти
2133 МГц
Пропускная способность
3200 МБ/с
Напряжение
1.35 В
Назначение
для ПК
Тип памяти
DDR4
Форм-фактор
DIMM
Суммарный объем памяти
16 ГБ
Количество модулей в комплекте
2
Количество контактов
288

Тайминги

Activate to Precharge Delay (tRAS)
38
CAS Latency (CL)
16
RAS to CAS Delay (tRCD)
20
Row Precharge Delay (tRP)
20
🔸 Объем одного модуля8, ГБ
🔸 Частота памяти2133, МГц
🔸 Пропускная способность3200, МБ/с
🔸 Напряжение1.35, В