Модуль памяти DDR 4 DIMM 16Gb (8Gbx2), 3200Mhz, OCPC XT II MMX2K16GD432C16W, CL16, WHITE
Модуль памяти DDR 4 DIMM 16Gb (8Gbx2), 3200Mhz, OCPC XT II MMX2K16GD432C16W, CL16, WHITE
Модуль памяти DDR 4 DIMM 16Gb (8Gbx2), 3200Mhz, OCPC XT II MMX2K16GD432C16W, CL16, WHITE

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

Модуль памяти DDR 4 DIMM 16Gb (8Gbx2), 3200Mhz, OCPC XT II MMX2K16GD432C16W, CL16, WHITE

О товаре

Код: 51435

Объем одного модуля, ГБ
8 ГБ
Частота памяти, МГц
3200 МГц
Пропускная способность, МБ/с
25600 МБ/с
Напряжение, В
1.35 В
Тип памяти
DDR4
Форм-фактор
DIMM
Смотреть все характеристики Смотреть все характеристики

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

  • Характеристики

Характеристики

Общие характеристики

Объем одного модуля
8 ГБ
Частота памяти
3200 МГц
Пропускная способность
25600 МБ/с
Напряжение
1.35 В
Назначение
для ПК
Тип памяти
DDR4
Форм-фактор
DIMM
Суммарный объем памяти
16 ГБ
Количество модулей в комплекте
2
Страна производителя
Китай
Количество контактов
288

Тайминги

Activate to Precharge Delay (tRAS)
40
CAS Latency (CL)
16
RAS to CAS Delay (tRCD)
20
Row Precharge Delay (tRP)
20
  • Характеристики

Общие характеристики

Объем одного модуля
8 ГБ
Частота памяти
3200 МГц
Пропускная способность
25600 МБ/с
Напряжение
1.35 В
Назначение
для ПК
Тип памяти
DDR4
Форм-фактор
DIMM
Суммарный объем памяти
16 ГБ
Количество модулей в комплекте
2
Страна производителя
Китай
Количество контактов
288

Тайминги

Activate to Precharge Delay (tRAS)
40
CAS Latency (CL)
16
RAS to CAS Delay (tRCD)
20
Row Precharge Delay (tRP)
20
🔸 Объем одного модуля8, ГБ
🔸 Частота памяти3200, МГц
🔸 Пропускная способность25600, МБ/с
🔸 Напряжение1.35, В