Код: 697392593092401

SSD накопитель Samsung 990 EVO Plus 2.0Tb PCI-E 5x2/4x4 (MZ-V9S2T0BW)
SSD накопитель Samsung 990 EVO Plus 2.0Tb PCI-E 5x2/4x4 (MZ-V9S2T0BW) фото 2
SSD накопитель Samsung 990 EVO Plus 2.0Tb PCI-E 5x2/4x4 (MZ-V9S2T0BW) фото 3
SSD накопитель Samsung 990 EVO Plus 2.0Tb PCI-E 5x2/4x4 (MZ-V9S2T0BW) фото 4
SSD накопитель Samsung 990 EVO Plus 2.0Tb PCI-E 5x2/4x4 (MZ-V9S2T0BW) фото 5
SSD накопитель Samsung 990 EVO Plus 2.0Tb PCI-E 5x2/4x4 (MZ-V9S2T0BW)
SSD накопитель Samsung 990 EVO Plus 2.0Tb PCI-E 5x2/4x4 (MZ-V9S2T0BW) фото 2
SSD накопитель Samsung 990 EVO Plus 2.0Tb PCI-E 5x2/4x4 (MZ-V9S2T0BW) фото 3
SSD накопитель Samsung 990 EVO Plus 2.0Tb PCI-E 5x2/4x4 (MZ-V9S2T0BW) фото 4
SSD накопитель Samsung 990 EVO Plus 2.0Tb PCI-E 5x2/4x4 (MZ-V9S2T0BW) фото 5
SSD накопитель Samsung 990 EVO Plus 2.0Tb PCI-E 5x2/4x4 (MZ-V9S2T0BW)
SSD накопитель Samsung 990 EVO Plus 2.0Tb PCI-E 5x2/4x4 (MZ-V9S2T0BW)
SSD накопитель Samsung 990 EVO Plus 2.0Tb PCI-E 5x2/4x4 (MZ-V9S2T0BW)
SSD накопитель Samsung 990 EVO Plus 2.0Tb PCI-E 5x2/4x4 (MZ-V9S2T0BW)
SSD накопитель Samsung 990 EVO Plus 2.0Tb PCI-E 5x2/4x4 (MZ-V9S2T0BW)

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

SSD накопитель Samsung 990 EVO Plus 2.0Tb PCI-E 5x2 (MZ-V9S2T0BW)

О товаре

Код: 697392593092401

Тип памяти NAND
3D TLC NAND
Форм-фактор SSD
Да
Интерфейс
Да
Объем накопителя, Гб
2000 Гб
Максимальная скорость записи
6300
Максимальная скорость чтения
7250
Смотреть все характеристики Смотреть все характеристики

За наличные -5%

Оригинальный товар

Гарантия низкой цены

Онлайн поддержка

1 год гарантии

  • Характеристики

Характеристики

Дополнительные характеристики

Гарантия, мес
12

Размеры и вес

Вес, г
9
Размеры (ШхГхВ), мм
80.15x22.15x2.38

Энергопотребление

Потребляемая мощность в режиме ожидания
4.2 Ватт
Потребляемая мощность
4.6 Ватт

Надежность

Время наработки на отказ
1500000
Максимальный ресурс записи (TBW)
1200

Показатели производительности

Максимальная скорость записи
6300
Максимальная скорость чтения
7250

Основные

DRAM буфер
HMB (Host Memory Buffer)
Тип памяти NAND
3D TLC NAND
Разъем
M.2
Количество бит на ячейку
3
Форм-фактор SSD
Да
Интерфейс
Да
Объем накопителя
2000 Гб
Модель
MZ-V9S2T0BW
  • Характеристики

Дополнительные характеристики

Гарантия, мес
12

Размеры и вес

Вес, г
9
Размеры (ШхГхВ), мм
80.15x22.15x2.38

Энергопотребление

Потребляемая мощность в режиме ожидания
4.2 Ватт
Потребляемая мощность
4.6 Ватт

Надежность

Время наработки на отказ
1500000
Максимальный ресурс записи (TBW)
1200

Показатели производительности

Максимальная скорость записи
6300
Максимальная скорость чтения
7250

Основные

DRAM буфер
HMB (Host Memory Buffer)
Тип памяти NAND
3D TLC NAND
Разъем
M.2
Количество бит на ячейку
3
Форм-фактор SSD
Да
Интерфейс
Да
Объем накопителя
2000 Гб
Модель
MZ-V9S2T0BW
🔸 Тип памяти NAND3D TLC NANDnull
🔸 Форм-фактор SSDДаnull
🔸 ИнтерфейсДаnull
🔸 Объем накопителя2000, Гб